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产品规格

封装/外壳	ISOPLUSi5-Pak?
制造商	IXYS
安装类型	通孔
工作温度	-55°C ~ 175°C（TJ）
系列	XPT?
包装	管件
零件状态	在售
供应商器件封装	ISOPLUSi5-Pak?
输入类型	标准
反向恢复时间（trr）	210ns
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	2500V
Power - Max	577W
Current - Collector (Ic) (Max)	70A
测试条件	1250V, 40A, 1 欧姆, 15V
开关能量	11.7mJ (开), 6.9mJ (关)
Current - Collector Pulsed (Icm)	400A
IGBT 类型	-
不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）	4V @ 15V，40A
25°C 时 Td（开/关）值	21ns/200ns
栅极电荷	270nC
关键词

产品资料

数据列表	IXYL40N250CV1
标准包装	25

封装/外壳 ISOPLUSi5-Pak?  IXYS 封装/外壳 ISOPLUSi5-Pak?  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 封装/外壳 ISOPLUSi5-Pak?  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 封装/外壳 ISOPLUSi5-Pak?   制造商 IXYS  IXYS 制造商 IXYS  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 制造商 IXYS  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 制造商 IXYS   安装类型 通孔  IXYS 安装类型 通孔  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 安装类型 通孔  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 安装类型 通孔   工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）  IXYS 工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）   系列 XPT?  IXYS 系列 XPT?  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 系列 XPT?  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 系列 XPT?   包装 管件   IXYS 包装 管件   晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 包装 管件   IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 包装 管件    零件状态 在售  IXYS 零件状态 在售  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 零件状态 在售  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 零件状态 在售   供应商器件封装 ISOPLUSi5-Pak?  IXYS 供应商器件封装 ISOPLUSi5-Pak?  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 供应商器件封装 ISOPLUSi5-Pak?  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 供应商器件封装 ISOPLUSi5-Pak?   输入类型 标准  IXYS 输入类型 标准  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 输入类型 标准  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 输入类型 标准   反向恢复时间（trr） 210ns  IXYS 反向恢复时间（trr） 210ns  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 反向恢复时间（trr） 210ns  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 反向恢复时间（trr） 210ns   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 2500V  IXYS Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 2500V  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 2500V  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 2500V   Power - Max 577W  IXYS Power - Max 577W  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Power - Max 577W  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Power - Max 577W   Current - Collector (Ic) (Max) 70A  IXYS Current - Collector (Ic) (Max) 70A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 70A  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 70A   测试条件 1250V, 40A, 1 欧姆, 15V  IXYS 测试条件 1250V, 40A, 1 欧姆, 15V  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 测试条件 1250V, 40A, 1 欧姆, 15V  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 测试条件 1250V, 40A, 1 欧姆, 15V   开关能量 11.7mJ (开), 6.9mJ (关)  IXYS 开关能量 11.7mJ (开), 6.9mJ (关)  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 开关能量 11.7mJ (开), 6.9mJ (关)  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 开关能量 11.7mJ (开), 6.9mJ (关)   Current - Collector Pulsed (Icm) 400A  IXYS Current - Collector Pulsed (Icm) 400A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 400A  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 400A   IGBT 类型 -  IXYS IGBT 类型 -  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 IGBT 类型 -  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 IGBT 类型 -   不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 4V @ 15V，40A  IXYS 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 4V @ 15V，40A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 4V @ 15V，40A  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 4V @ 15V，40A   25°C 时 Td（开/关）值 21ns/200ns  IXYS 25°C 时 Td（开/关）值 21ns/200ns  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 25°C 时 Td（开/关）值 21ns/200ns  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 25°C 时 Td（开/关）值 21ns/200ns   栅极电荷 270nC  IXYS 栅极电荷 270nC  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 栅极电荷 270nC  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 栅极电荷 270nC