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产品规格

封装/外壳	TO-220-3
制造商	IXYS
安装类型	通孔
工作温度	-55°C ~ 175°C（TJ）
系列	GenX3?，XPT?
包装	管件
零件状态	在售
供应商器件封装	TO-220AB
输入类型	标准
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	1200V
Power - Max	500W
Current - Collector (Ic) (Max)	75A
测试条件	600V，30A，10 欧姆，15V
开关能量	2.6mJ（开），1.1mJ（关）
Current - Collector Pulsed (Icm)	145A
IGBT 类型	-
不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）	3.3V @ 15V，30A
25°C 时 Td（开/关）值	19ns/130ns
栅极电荷	69nC
关键词

产品资料

数据列表	IXYx30N120C3
标准包装	50

封装/外壳 TO-220-3  IXYS 封装/外壳 TO-220-3  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-220-3  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-220-3   制造商 IXYS  IXYS 制造商 IXYS  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 制造商 IXYS  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 制造商 IXYS   安装类型 通孔  IXYS 安装类型 通孔  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 安装类型 通孔  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 安装类型 通孔   工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）  IXYS 工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）   系列 GenX3?，XPT?  IXYS 系列 GenX3?，XPT?  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 系列 GenX3?，XPT?  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 系列 GenX3?，XPT?   包装 管件   IXYS 包装 管件   晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 包装 管件   IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 包装 管件    零件状态 在售  IXYS 零件状态 在售  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 零件状态 在售  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 零件状态 在售   供应商器件封装 TO-220AB  IXYS 供应商器件封装 TO-220AB  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-220AB  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-220AB   输入类型 标准  IXYS 输入类型 标准  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 输入类型 标准  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 输入类型 标准   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V  IXYS Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V   Power - Max 500W  IXYS Power - Max 500W  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Power - Max 500W  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Power - Max 500W   Current - Collector (Ic) (Max) 75A  IXYS Current - Collector (Ic) (Max) 75A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 75A  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 75A   测试条件 600V，30A，10 欧姆，15V  IXYS 测试条件 600V，30A，10 欧姆，15V  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 测试条件 600V，30A，10 欧姆，15V  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 测试条件 600V，30A，10 欧姆，15V   开关能量 2.6mJ（开），1.1mJ（关）  IXYS 开关能量 2.6mJ（开），1.1mJ（关）  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 开关能量 2.6mJ（开），1.1mJ（关）  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 开关能量 2.6mJ（开），1.1mJ（关）   Current - Collector Pulsed (Icm) 145A  IXYS Current - Collector Pulsed (Icm) 145A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 145A  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 145A   IGBT 类型 -  IXYS IGBT 类型 -  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 IGBT 类型 -  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 IGBT 类型 -   不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 3.3V @ 15V，30A  IXYS 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 3.3V @ 15V，30A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 3.3V @ 15V，30A  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 3.3V @ 15V，30A   25°C 时 Td（开/关）值 19ns/130ns  IXYS 25°C 时 Td（开/关）值 19ns/130ns  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 25°C 时 Td（开/关）值 19ns/130ns  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 25°C 时 Td（开/关）值 19ns/130ns   栅极电荷 69nC  IXYS 栅极电荷 69nC  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 栅极电荷 69nC  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 栅极电荷 69nC