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IXYP50N65C3
IXYP50N65C3 -
IGBT 650V 130A 600W TO220
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
IXYS
IXYS
制造商产品编号:
IXYP50N65C3
仓库库存编号:
IXYP50N65C3-ND
描述:
IGBT 650V 130A 600W TO220
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
IGBT PT 650V 130A 600W Through Hole TO-220
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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IXYP50N65C3产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-220-3
制造商
IXYS
安装类型
通孔
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
系列
GenX3?,XPT?
包装
管件
零件状态
在售
供应商器件封装
TO-220
输入类型
标准
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650V
Power - Max
600W
Current - Collector (Ic) (Max)
130A
测试条件
400V,36A,5 欧姆,15V
开关能量
1.3mJ(开),370μJ(关)
Current - Collector Pulsed (Icm)
250A
IGBT 类型
PT
不同?Vge,Ic 时的?Vce(on)
2.1V @ 15V,36A
25°C 时 Td(开/关)值
22ns/80ns
栅极电荷
80nC
关键词
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数据列表
IXYx50N65C3
标准包装
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制造商 IXYS
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安装类型 通孔
IXYS 安装类型 通孔
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IXYS 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 安装类型 通孔
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
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系列 GenX3?,XPT?
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晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 系列 GenX3?,XPT?
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包装 管件
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零件状态 在售
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供应商器件封装 TO-220
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输入类型 标准
IXYS 输入类型 标准
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Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V
IXYS Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V
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Power - Max 600W
IXYS Power - Max 600W
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Power - Max 600W
IXYS 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Power - Max 600W
Current - Collector (Ic) (Max) 130A
IXYS Current - Collector (Ic) (Max) 130A
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 130A
IXYS 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 130A
测试条件 400V,36A,5 欧姆,15V
IXYS 测试条件 400V,36A,5 欧姆,15V
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 测试条件 400V,36A,5 欧姆,15V
IXYS 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 测试条件 400V,36A,5 欧姆,15V
开关能量 1.3mJ(开),370μJ(关)
IXYS 开关能量 1.3mJ(开),370μJ(关)
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 开关能量 1.3mJ(开),370μJ(关)
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Current - Collector Pulsed (Icm) 250A
IXYS Current - Collector Pulsed (Icm) 250A
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 250A
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IGBT 类型 PT
IXYS IGBT 类型 PT
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不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 2.1V @ 15V,36A
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25°C 时 Td(开/关)值 22ns/80ns
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晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 25°C 时 Td(开/关)值 22ns/80ns
IXYS 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 25°C 时 Td(开/关)值 22ns/80ns
栅极电荷 80nC
IXYS 栅极电荷 80nC
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