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IXYX25N250CV1HV
IXYX25N250CV1HV -
IGBT 2500V 235A PLUS247
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
IXYS
IXYS
制造商产品编号:
IXYX25N250CV1HV
仓库库存编号:
IXYX25N250CV1HV-ND
描述:
IGBT 2500V 235A PLUS247
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
IGBT 2500V 95A 937W Through Hole PLUS247?-3
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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IXYX25N250CV1HV产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-247-3
制造商
IXYS
安装类型
通孔
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
系列
XPT?
包装
管件
零件状态
在售
供应商器件封装
PLUS247?-3
输入类型
标准
反向恢复时间(trr)
220ns
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
2500V
Power - Max
937W
Current - Collector (Ic) (Max)
95A
测试条件
1250V,25A,5 欧姆,15V
开关能量
8.3mJ(开),7.3mJ(关)
Current - Collector Pulsed (Icm)
235A
IGBT 类型
-
不同?Vge,Ic 时的?Vce(on)
4V @ 15V,25A
25°C 时 Td(开/关)值
15ns/230ns
栅极电荷
147nC
关键词
产品资料
数据列表
IXYX25N250CV1(HV) Preliminary Datasheet
标准包装
30
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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操作
IXYS
IGBT 2500V 235A TO-247HV
详细描述:IGBT 2500V 95A 937W Through Hole TO-247HV (IXYH)
型号:
IXYH25N250CHV
仓库库存编号:
IXYH25N250CHV-ND
无铅
搜索
IXYS
IGBT 2500V 235A TO-268HV
详细描述:IGBT 2500V 95A 937W Surface Mount TO-268HV (IXYT)
型号:
IXYT25N250CHV
仓库库存编号:
IXYT25N250CHV-ND
无铅
搜索
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封装/外壳 TO-247-3
IXYS 封装/外壳 TO-247-3
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 封装/外壳 TO-247-3
IXYS 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 封装/外壳 TO-247-3
制造商 IXYS
IXYS 制造商 IXYS
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安装类型 通孔
IXYS 安装类型 通孔
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 安装类型 通孔
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工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
IXYS 工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
IXYS 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
系列 XPT?
IXYS 系列 XPT?
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 系列 XPT?
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包装 管件
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零件状态 在售
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供应商器件封装 PLUS247?-3
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输入类型 标准
IXYS 输入类型 标准
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 输入类型 标准
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反向恢复时间(trr) 220ns
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Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 2500V
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Power - Max 937W
IXYS Power - Max 937W
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Power - Max 937W
IXYS 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Power - Max 937W
Current - Collector (Ic) (Max) 95A
IXYS Current - Collector (Ic) (Max) 95A
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 95A
IXYS 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 95A
测试条件 1250V,25A,5 欧姆,15V
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晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 测试条件 1250V,25A,5 欧姆,15V
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开关能量 8.3mJ(开),7.3mJ(关)
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Current - Collector Pulsed (Icm) 235A
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IGBT 类型 -
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不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 4V @ 15V,25A
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25°C 时 Td(开/关)值 15ns/230ns
IXYS 25°C 时 Td(开/关)值 15ns/230ns
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 25°C 时 Td(开/关)值 15ns/230ns
IXYS 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 25°C 时 Td(开/关)值 15ns/230ns
栅极电荷 147nC
IXYS 栅极电荷 147nC
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 栅极电荷 147nC
IXYS 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 栅极电荷 147nC
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