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产品规格

封装/外壳	TO-247-3
制造商	IXYS
安装类型	通孔
工作温度	-55°C ~ 175°C（TJ）
系列	XPT?
零件状态	在售
供应商器件封装	PLUS247?-3
输入类型	标准
反向恢复时间（trr）	44ns
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	1700V
Power - Max	1500W
Current - Collector (Ic) (Max)	178A
测试条件	850V，50A，1 欧姆，15V
开关能量	8.7mJ（开），5.6mJ（关）
Current - Collector Pulsed (Icm)	460A
IGBT 类型	-
不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）	3.7V @ 15V，50A
25°C 时 Td（开/关）值	20ns/180ns
栅极电荷	260nC
关键词

产品资料

数据列表	XPT? IGBT 1700V/2500V Prod Brief IXYX50N170C Datasheet
标准包装	30

封装/外壳 TO-247-3  IXYS 封装/外壳 TO-247-3  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-247-3  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-247-3   制造商 IXYS  IXYS 制造商 IXYS  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 制造商 IXYS  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 制造商 IXYS   安装类型 通孔  IXYS 安装类型 通孔  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 安装类型 通孔  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 安装类型 通孔   工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）  IXYS 工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）   系列 XPT?  IXYS 系列 XPT?  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 系列 XPT?  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 系列 XPT?   零件状态 在售  IXYS 零件状态 在售  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 零件状态 在售  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 零件状态 在售   供应商器件封装 PLUS247?-3  IXYS 供应商器件封装 PLUS247?-3  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 供应商器件封装 PLUS247?-3  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 供应商器件封装 PLUS247?-3   输入类型 标准  IXYS 输入类型 标准  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 输入类型 标准  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 输入类型 标准   反向恢复时间（trr） 44ns  IXYS 反向恢复时间（trr） 44ns  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 反向恢复时间（trr） 44ns  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 反向恢复时间（trr） 44ns   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1700V  IXYS Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1700V  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1700V  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1700V   Power - Max 1500W  IXYS Power - Max 1500W  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Power - Max 1500W  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Power - Max 1500W   Current - Collector (Ic) (Max) 178A  IXYS Current - Collector (Ic) (Max) 178A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 178A  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 178A   测试条件 850V，50A，1 欧姆，15V  IXYS 测试条件 850V，50A，1 欧姆，15V  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 测试条件 850V，50A，1 欧姆，15V  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 测试条件 850V，50A，1 欧姆，15V   开关能量 8.7mJ（开），5.6mJ（关）  IXYS 开关能量 8.7mJ（开），5.6mJ（关）  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 开关能量 8.7mJ（开），5.6mJ（关）  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 开关能量 8.7mJ（开），5.6mJ（关）   Current - Collector Pulsed (Icm) 460A  IXYS Current - Collector Pulsed (Icm) 460A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 460A  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 460A   IGBT 类型 -  IXYS IGBT 类型 -  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 IGBT 类型 -  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 IGBT 类型 -   不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 3.7V @ 15V，50A  IXYS 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 3.7V @ 15V，50A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 3.7V @ 15V，50A  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 3.7V @ 15V，50A   25°C 时 Td（开/关）值 20ns/180ns  IXYS 25°C 时 Td（开/关）值 20ns/180ns  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 25°C 时 Td（开/关）值 20ns/180ns  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 25°C 时 Td（开/关）值 20ns/180ns   栅极电荷 260nC  IXYS 栅极电荷 260nC  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 栅极电荷 260nC  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 栅极电荷 260nC