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MDI 300-12 A4
MDI 300-12 A4 -
TRANS IGBT PWR MODULE 1.2KV 330A
非库存货
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
IXYS
IXYS
制造商产品编号:
MDI 300-12 A4
仓库库存编号:
MDI 300-12 A4-ND
描述:
TRANS IGBT PWR MODULE 1.2KV 330A
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
详细描述:
IGBT Module NPT Single 1200V 330A 1380W Chassis Mount Y3-DCB
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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MDI 300-12 A4产品属性
产品规格
封装/外壳
Y3-DCB
制造商
IXYS
安装类型
底座安装
工作温度
-40°C ~ 150°C(TJ)
系列
-
零件状态
在售
供应商器件封装
Y3-DCB
输入
标准
配置
单一
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200V
Power - Max
1380W
电流 - 集电极截止(最大值)
13mA
Current - Collector (Ic) (Max)
330A
IGBT 类型
NPT
不同?Vge,Ic 时的?Vce(on)
2.7V @ 15V,200A
NTC 热敏电阻
无
不同?Vce 时的输入电容(Cies)
13nF @ 25V
关键词
产品资料
数据列表
M(II,ID,DI)300-12A4
标准包装
2
其它名称
Q1754353
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封装/外壳 Y3-DCB
IXYS 封装/外壳 Y3-DCB
晶体管 - IGBT - 模块 封装/外壳 Y3-DCB
IXYS 晶体管 - IGBT - 模块 封装/外壳 Y3-DCB
制造商 IXYS
IXYS 制造商 IXYS
晶体管 - IGBT - 模块 制造商 IXYS
IXYS 晶体管 - IGBT - 模块 制造商 IXYS
安装类型 底座安装
IXYS 安装类型 底座安装
晶体管 - IGBT - 模块 安装类型 底座安装
IXYS 晶体管 - IGBT - 模块 安装类型 底座安装
工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ)
IXYS 工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ)
晶体管 - IGBT - 模块 工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ)
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系列 -
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零件状态 在售
IXYS 零件状态 在售
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供应商器件封装 Y3-DCB
IXYS 供应商器件封装 Y3-DCB
晶体管 - IGBT - 模块 供应商器件封装 Y3-DCB
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输入 标准
IXYS 输入 标准
晶体管 - IGBT - 模块 输入 标准
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配置 单一
IXYS 配置 单一
晶体管 - IGBT - 模块 配置 单一
IXYS 晶体管 - IGBT - 模块 配置 单一
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
IXYS Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
晶体管 - IGBT - 模块 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
IXYS 晶体管 - IGBT - 模块 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Power - Max 1380W
IXYS Power - Max 1380W
晶体管 - IGBT - 模块 Power - Max 1380W
IXYS 晶体管 - IGBT - 模块 Power - Max 1380W
电流 - 集电极截止(最大值) 13mA
IXYS 电流 - 集电极截止(最大值) 13mA
晶体管 - IGBT - 模块 电流 - 集电极截止(最大值) 13mA
IXYS 晶体管 - IGBT - 模块 电流 - 集电极截止(最大值) 13mA
Current - Collector (Ic) (Max) 330A
IXYS Current - Collector (Ic) (Max) 330A
晶体管 - IGBT - 模块 Current - Collector (Ic) (Max) 330A
IXYS 晶体管 - IGBT - 模块 Current - Collector (Ic) (Max) 330A
IGBT 类型 NPT
IXYS IGBT 类型 NPT
晶体管 - IGBT - 模块 IGBT 类型 NPT
IXYS 晶体管 - IGBT - 模块 IGBT 类型 NPT
不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 2.7V @ 15V,200A
IXYS 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 2.7V @ 15V,200A
晶体管 - IGBT - 模块 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 2.7V @ 15V,200A
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NTC 热敏电阻 无
IXYS NTC 热敏电阻 无
晶体管 - IGBT - 模块 NTC 热敏电阻 无
IXYS 晶体管 - IGBT - 模块 NTC 热敏电阻 无
不同?Vce 时的输入电容(Cies) 13nF @ 25V
IXYS 不同?Vce 时的输入电容(Cies) 13nF @ 25V
晶体管 - IGBT - 模块 不同?Vce 时的输入电容(Cies) 13nF @ 25V
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