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MMIX1F520N075T2
MMIX1F520N075T2 -
MOSFET N-CH 75V 500A
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
IXYS
IXYS
制造商产品编号:
MMIX1F520N075T2
仓库库存编号:
MMIX1F520N075T2-ND
描述:
MOSFET N-CH 75V 500A
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
表面贴装 N 沟道 500A(Tc) 830W(Tc) 24-SMPD
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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MMIX1F520N075T2产品属性
产品规格
封装/外壳
24-PowerSMD,21 引线
制造商
IXYS
安装类型
表面贴装
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
系列
GigaMOS?,TrenchT2?
包装
管件
零件状态
在售
供应商器件封装
24-SMPD
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
545nC @ 10V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
1.6 毫欧 @ 100A,10V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
FET 类型
N 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
500A(Tc)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
41000pF @ 25V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
5V @ 8mA
功率耗散(最大值)
830W(Tc)
漏源电压(Vdss)
75V
关键词
产品资料
标准包装
20
其它名称
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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型号:
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仓库库存编号:
APTM20AM04FG-ND
别名:APTM20AM04FGMI
APTM20AM04FGMI-ND
无铅
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IXYS
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无铅
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型号:
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仓库库存编号:
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型号:
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别名:497-13586-1
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别名:296-41136-1
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不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 41000pF @ 25V
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不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 8mA
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功率耗散(最大值) 830W(Tc)
IXYS 功率耗散(最大值) 830W(Tc)
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IXYS 晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 830W(Tc)
漏源电压(Vdss) 75V
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IXYS 晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 75V
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