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产品规格

封装/外壳	24-PowerSMD，21 引线
制造商	IXYS
安装类型	表面贴装
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
系列	GenX3?，XPT?
包装	管件
零件状态	在售
供应商器件封装	24-SMPD
输入类型	标准
反向恢复时间（trr）	140ns
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	600V
Power - Max	400W
Current - Collector (Ic) (Max)	145A
测试条件	360V，70A，2 欧姆，15V
开关能量	1.9mJ（开），2mJ（关）
Current - Collector Pulsed (Icm)	440A
IGBT 类型	-
不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）	1.8V @ 15V，70A
25°C 时 Td（开/关）值	30ns/120ns
栅极电荷	143nC
关键词

产品资料

数据列表	MMIX1X100N60B3H1
标准包装	20

封装/外壳 24-PowerSMD，21 引线  IXYS 封装/外壳 24-PowerSMD，21 引线  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 封装/外壳 24-PowerSMD，21 引线  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 封装/外壳 24-PowerSMD，21 引线   制造商 IXYS  IXYS 制造商 IXYS  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 制造商 IXYS  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 制造商 IXYS   安装类型 表面贴装  IXYS 安装类型 表面贴装  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装   工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  IXYS 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）   系列 GenX3?，XPT?  IXYS 系列 GenX3?，XPT?  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 系列 GenX3?，XPT?  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 系列 GenX3?，XPT?   包装 管件   IXYS 包装 管件   晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 包装 管件   IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 包装 管件    零件状态 在售  IXYS 零件状态 在售  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 零件状态 在售  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 零件状态 在售   供应商器件封装 24-SMPD  IXYS 供应商器件封装 24-SMPD  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 供应商器件封装 24-SMPD  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 供应商器件封装 24-SMPD   输入类型 标准  IXYS 输入类型 标准  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 输入类型 标准  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 输入类型 标准   反向恢复时间（trr） 140ns  IXYS 反向恢复时间（trr） 140ns  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 反向恢复时间（trr） 140ns  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 反向恢复时间（trr） 140ns   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V  IXYS Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V   Power - Max 400W  IXYS Power - Max 400W  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Power - Max 400W  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Power - Max 400W   Current - Collector (Ic) (Max) 145A  IXYS Current - Collector (Ic) (Max) 145A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 145A  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 145A   测试条件 360V，70A，2 欧姆，15V  IXYS 测试条件 360V，70A，2 欧姆，15V  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 测试条件 360V，70A，2 欧姆，15V  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 测试条件 360V，70A，2 欧姆，15V   开关能量 1.9mJ（开），2mJ（关）  IXYS 开关能量 1.9mJ（开），2mJ（关）  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 开关能量 1.9mJ（开），2mJ（关）  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 开关能量 1.9mJ（开），2mJ（关）   Current - Collector Pulsed (Icm) 440A  IXYS Current - Collector Pulsed (Icm) 440A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 440A  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 440A   IGBT 类型 -  IXYS IGBT 类型 -  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 IGBT 类型 -  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 IGBT 类型 -   不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 1.8V @ 15V，70A  IXYS 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 1.8V @ 15V，70A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 1.8V @ 15V，70A  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 1.8V @ 15V，70A   25°C 时 Td（开/关）值 30ns/120ns  IXYS 25°C 时 Td（开/关）值 30ns/120ns  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 25°C 时 Td（开/关）值 30ns/120ns  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 25°C 时 Td（开/关）值 30ns/120ns   栅极电荷 143nC  IXYS 栅极电荷 143nC  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 栅极电荷 143nC  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 栅极电荷 143nC