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产品规格

封装/外壳	24-PowerSMD，21 引线
制造商	IXYS
安装类型	表面贴装
工作温度	-55°C ~ 175°C（TJ）
系列	GenX3?，XPT?
包装	管件
零件状态	在售
供应商器件封装	SMPD
输入类型	标准
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	600V
Power - Max	625W
Current - Collector (Ic) (Max)	223A
测试条件	360V，100A，1 欧姆，15V
开关能量	2.85mJ（开），2.9mJ（关）
Current - Collector Pulsed (Icm)	1000A
IGBT 类型	PT
不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）	1.7V @ 15V，100A
25°C 时 Td（开/关）值	48ns/160ns
栅极电荷	315nC
关键词

产品资料

数据列表	MMIX1X200N60B3
标准包装	20

封装/外壳 24-PowerSMD，21 引线  IXYS 封装/外壳 24-PowerSMD，21 引线  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 封装/外壳 24-PowerSMD，21 引线  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 封装/外壳 24-PowerSMD，21 引线   制造商 IXYS  IXYS 制造商 IXYS  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 制造商 IXYS  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 制造商 IXYS   安装类型 表面贴装  IXYS 安装类型 表面贴装  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装   工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）  IXYS 工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）   系列 GenX3?，XPT?  IXYS 系列 GenX3?，XPT?  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 系列 GenX3?，XPT?  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 系列 GenX3?，XPT?   包装 管件   IXYS 包装 管件   晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 包装 管件   IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 包装 管件    零件状态 在售  IXYS 零件状态 在售  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 零件状态 在售  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 零件状态 在售   供应商器件封装 SMPD  IXYS 供应商器件封装 SMPD  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 供应商器件封装 SMPD  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 供应商器件封装 SMPD   输入类型 标准  IXYS 输入类型 标准  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 输入类型 标准  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 输入类型 标准   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V  IXYS Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V   Power - Max 625W  IXYS Power - Max 625W  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Power - Max 625W  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Power - Max 625W   Current - Collector (Ic) (Max) 223A  IXYS Current - Collector (Ic) (Max) 223A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 223A  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 223A   测试条件 360V，100A，1 欧姆，15V  IXYS 测试条件 360V，100A，1 欧姆，15V  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 测试条件 360V，100A，1 欧姆，15V  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 测试条件 360V，100A，1 欧姆，15V   开关能量 2.85mJ（开），2.9mJ（关）  IXYS 开关能量 2.85mJ（开），2.9mJ（关）  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 开关能量 2.85mJ（开），2.9mJ（关）  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 开关能量 2.85mJ（开），2.9mJ（关）   Current - Collector Pulsed (Icm) 1000A  IXYS Current - Collector Pulsed (Icm) 1000A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 1000A  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 1000A   IGBT 类型 PT  IXYS IGBT 类型 PT  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 IGBT 类型 PT  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 IGBT 类型 PT   不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 1.7V @ 15V，100A  IXYS 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 1.7V @ 15V，100A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 1.7V @ 15V，100A  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 1.7V @ 15V，100A   25°C 时 Td（开/关）值 48ns/160ns  IXYS 25°C 时 Td（开/关）值 48ns/160ns  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 25°C 时 Td（开/关）值 48ns/160ns  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 25°C 时 Td（开/关）值 48ns/160ns   栅极电荷 315nC  IXYS 栅极电荷 315nC  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 栅极电荷 315nC  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 栅极电荷 315nC