MWI30-12E6K,IXYS,分立半导体产品,晶体管 - IGBT - 模块
st代理商
专业代理销售st（意法）全系列产品
库存查询
在本站结果里搜索：    
热门搜索词：电容器   Vicor   MXP7205VW   STM32F103C8T6   1379658-1   UVX  

MWI30-12E6K - 

MOD IGBT SIXPACK RBSOA 1200V E1

  • 已过时的产品。
IXYS MWI30-12E6K
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商：
IXYS IXYS
制造商产品编号：
MWI30-12E6K
仓库库存编号：
MWI30-12E6K-ND
描述：
MOD IGBT SIXPACK RBSOA 1200V E1
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
IGBT Module Three Phase Inverter 1200V 29A 130W Chassis Mount E1
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！

MWI30-12E6K产品属性


产品规格
  封装/外壳  E1  
  制造商  IXYS  
  安装类型  底座安装  
  工作温度  -40°C ~ 125°C （TJ）  
  系列  -  
  零件状态  过期  
  供应商器件封装  E1  
  输入  标准  
  配置  三相反相器  
  Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)  1200V  
  Power - Max  130W  
  电流 - 集电极截止（最大值）  1mA  
  Current - Collector (Ic) (Max)  29A  
  IGBT 类型  -  
  不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）  2.9V @ 15V，20A  
  NTC 热敏电阻  是  
  不同?Vce 时的输入电容（Cies）  1.18nF @ 25V  
关键词         

产品资料
标准包装 10

MWI30-12E6K相关搜索

封装/外壳 E1  IXYS 封装/外壳 E1  晶体管 - IGBT - 模块 封装/外壳 E1  IXYS 晶体管 - IGBT - 模块 封装/外壳 E1   制造商 IXYS  IXYS 制造商 IXYS  晶体管 - IGBT - 模块 制造商 IXYS  IXYS 晶体管 - IGBT - 模块 制造商 IXYS   安装类型 底座安装  IXYS 安装类型 底座安装  晶体管 - IGBT - 模块 安装类型 底座安装  IXYS 晶体管 - IGBT - 模块 安装类型 底座安装   工作温度 -40°C ~ 125°C （TJ）  IXYS 工作温度 -40°C ~ 125°C （TJ）  晶体管 - IGBT - 模块 工作温度 -40°C ~ 125°C （TJ）  IXYS 晶体管 - IGBT - 模块 工作温度 -40°C ~ 125°C （TJ）   系列 -  IXYS 系列 -  晶体管 - IGBT - 模块 系列 -  IXYS 晶体管 - IGBT - 模块 系列 -   零件状态 过期  IXYS 零件状态 过期  晶体管 - IGBT - 模块 零件状态 过期  IXYS 晶体管 - IGBT - 模块 零件状态 过期   供应商器件封装 E1  IXYS 供应商器件封装 E1  晶体管 - IGBT - 模块 供应商器件封装 E1  IXYS 晶体管 - IGBT - 模块 供应商器件封装 E1   输入 标准  IXYS 输入 标准  晶体管 - IGBT - 模块 输入 标准  IXYS 晶体管 - IGBT - 模块 输入 标准   配置 三相反相器  IXYS 配置 三相反相器  晶体管 - IGBT - 模块 配置 三相反相器  IXYS 晶体管 - IGBT - 模块 配置 三相反相器   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V  IXYS Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V  晶体管 - IGBT - 模块 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V  IXYS 晶体管 - IGBT - 模块 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V   Power - Max 130W  IXYS Power - Max 130W  晶体管 - IGBT - 模块 Power - Max 130W  IXYS 晶体管 - IGBT - 模块 Power - Max 130W   电流 - 集电极截止（最大值） 1mA  IXYS 电流 - 集电极截止（最大值） 1mA  晶体管 - IGBT - 模块 电流 - 集电极截止（最大值） 1mA  IXYS 晶体管 - IGBT - 模块 电流 - 集电极截止（最大值） 1mA   Current - Collector (Ic) (Max) 29A  IXYS Current - Collector (Ic) (Max) 29A  晶体管 - IGBT - 模块 Current - Collector (Ic) (Max) 29A  IXYS 晶体管 - IGBT - 模块 Current - Collector (Ic) (Max) 29A   IGBT 类型 -  IXYS IGBT 类型 -  晶体管 - IGBT - 模块 IGBT 类型 -  IXYS 晶体管 - IGBT - 模块 IGBT 类型 -   不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.9V @ 15V，20A  IXYS 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.9V @ 15V，20A  晶体管 - IGBT - 模块 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.9V @ 15V，20A  IXYS 晶体管 - IGBT - 模块 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.9V @ 15V，20A   NTC 热敏电阻 是  IXYS NTC 热敏电阻 是  晶体管 - IGBT - 模块 NTC 热敏电阻 是  IXYS 晶体管 - IGBT - 模块 NTC 热敏电阻 是   不同?Vce 时的输入电容（Cies） 1.18nF @ 25V  IXYS 不同?Vce 时的输入电容（Cies） 1.18nF @ 25V  晶体管 - IGBT - 模块 不同?Vce 时的输入电容（Cies） 1.18nF @ 25V  IXYS 晶体管 - IGBT - 模块 不同?Vce 时的输入电容（Cies） 1.18nF @ 25V  
电话:400-900-3095
QQ:800152669
st（意法）简介  |  st产品  |   st动态  |  产品应用  |  st选型手册
Copyright © 2017 www.st-ic.com All Rights Reserved. 技术支持：电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号