MWI75-12E8,IXYS,分立半导体产品,晶体管 - IGBT - 模块
st代理商
专业代理销售st(意法)全系列产品
库存查询
在本站结果里搜索:    
热门搜索词:电容器   Vicor   MXP7205VW   STM32F103C8T6   1379658-1   UVX  

MWI75-12E8 - 

MOD IGBT SIXPACK RBSOA 1200V E3

  • 已过时的产品。
IXYS MWI75-12E8
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
IXYS IXYS
制造商产品编号:
MWI75-12E8
仓库库存编号:
MWI75-12E8-ND
描述:
MOD IGBT SIXPACK RBSOA 1200V E3
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
IGBT Module NPT Three Phase Inverter 1200V 130A 500W Chassis Mount E3
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!

MWI75-12E8产品属性


产品规格
  封装/外壳  E3  
  制造商  IXYS  
  安装类型  底座安装  
  工作温度  -40°C ~ 125°C (TJ)  
  系列  -  
  零件状态  过期  
  供应商器件封装  E3  
  输入  标准  
  配置  三相反相器  
  Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)  1200V  
  Power - Max  500W  
  电流 - 集电极截止(最大值)  1.1mA  
  Current - Collector (Ic) (Max)  130A  
  IGBT 类型  NPT  
  不同?Vge,Ic 时的?Vce(on)  2.5V @ 15V,75A  
  NTC 热敏电阻  无  
  不同?Vce 时的输入电容(Cies)  5.7nF @ 25V  
关键词         

产品资料
标准包装 5

MWI75-12E8相关搜索

封装/外壳 E3  IXYS 封装/外壳 E3  晶体管 - IGBT - 模块 封装/外壳 E3  IXYS 晶体管 - IGBT - 模块 封装/外壳 E3   制造商 IXYS  IXYS 制造商 IXYS  晶体管 - IGBT - 模块 制造商 IXYS  IXYS 晶体管 - IGBT - 模块 制造商 IXYS   安装类型 底座安装  IXYS 安装类型 底座安装  晶体管 - IGBT - 模块 安装类型 底座安装  IXYS 晶体管 - IGBT - 模块 安装类型 底座安装   工作温度 -40°C ~ 125°C (TJ)  IXYS 工作温度 -40°C ~ 125°C (TJ)  晶体管 - IGBT - 模块 工作温度 -40°C ~ 125°C (TJ)  IXYS 晶体管 - IGBT - 模块 工作温度 -40°C ~ 125°C (TJ)   系列 -  IXYS 系列 -  晶体管 - IGBT - 模块 系列 -  IXYS 晶体管 - IGBT - 模块 系列 -   零件状态 过期  IXYS 零件状态 过期  晶体管 - IGBT - 模块 零件状态 过期  IXYS 晶体管 - IGBT - 模块 零件状态 过期   供应商器件封装 E3  IXYS 供应商器件封装 E3  晶体管 - IGBT - 模块 供应商器件封装 E3  IXYS 晶体管 - IGBT - 模块 供应商器件封装 E3   输入 标准  IXYS 输入 标准  晶体管 - IGBT - 模块 输入 标准  IXYS 晶体管 - IGBT - 模块 输入 标准   配置 三相反相器  IXYS 配置 三相反相器  晶体管 - IGBT - 模块 配置 三相反相器  IXYS 晶体管 - IGBT - 模块 配置 三相反相器   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V  IXYS Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V  晶体管 - IGBT - 模块 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V  IXYS 晶体管 - IGBT - 模块 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V   Power - Max 500W  IXYS Power - Max 500W  晶体管 - IGBT - 模块 Power - Max 500W  IXYS 晶体管 - IGBT - 模块 Power - Max 500W   电流 - 集电极截止(最大值) 1.1mA  IXYS 电流 - 集电极截止(最大值) 1.1mA  晶体管 - IGBT - 模块 电流 - 集电极截止(最大值) 1.1mA  IXYS 晶体管 - IGBT - 模块 电流 - 集电极截止(最大值) 1.1mA   Current - Collector (Ic) (Max) 130A  IXYS Current - Collector (Ic) (Max) 130A  晶体管 - IGBT - 模块 Current - Collector (Ic) (Max) 130A  IXYS 晶体管 - IGBT - 模块 Current - Collector (Ic) (Max) 130A   IGBT 类型 NPT  IXYS IGBT 类型 NPT  晶体管 - IGBT - 模块 IGBT 类型 NPT  IXYS 晶体管 - IGBT - 模块 IGBT 类型 NPT   不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 2.5V @ 15V,75A  IXYS 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 2.5V @ 15V,75A  晶体管 - IGBT - 模块 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 2.5V @ 15V,75A  IXYS 晶体管 - IGBT - 模块 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 2.5V @ 15V,75A   NTC 热敏电阻 无  IXYS NTC 热敏电阻 无  晶体管 - IGBT - 模块 NTC 热敏电阻 无  IXYS 晶体管 - IGBT - 模块 NTC 热敏电阻 无   不同?Vce 时的输入电容(Cies) 5.7nF @ 25V  IXYS 不同?Vce 时的输入电容(Cies) 5.7nF @ 25V  晶体管 - IGBT - 模块 不同?Vce 时的输入电容(Cies) 5.7nF @ 25V  IXYS 晶体管 - IGBT - 模块 不同?Vce 时的输入电容(Cies) 5.7nF @ 25V  
电话:400-900-3095
QQ:800152669
st(意法)简介  |  st产品  |   st动态  |  产品应用  |  st选型手册
Copyright © 2017 www.st-ic.com All Rights Reserved. 技术支持:电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号