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产品规格

封装/外壳	模块
制造商	IXYS
安装类型	底座安装
工作温度	-
系列	HiPerFET??
包装	散装
零件状态	过期
供应商器件封装	模块
技术	MOSFET（金属氧化物）
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）	2000nC @ 10V
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）	2.1 毫欧 @ 500mA，10V
FET 类型	N 沟道
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	590A
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	50000pF @ 25V
FET 功能	-
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	-
功率耗散（最大值）	2200W
漏源电压（Vdss）	100V
关键词

产品资料

标准包装	3
其它名称	Q1221985

封装/外壳 模块  IXYS 封装/外壳 模块  晶体管 - FET，MOSFET - 单 封装/外壳 模块  IXYS 晶体管 - FET，MOSFET - 单 封装/外壳 模块   制造商 IXYS  IXYS 制造商 IXYS  晶体管 - FET，MOSFET - 单 制造商 IXYS  IXYS 晶体管 - FET，MOSFET - 单 制造商 IXYS   安装类型 底座安装  IXYS 安装类型 底座安装  晶体管 - FET，MOSFET - 单 安装类型 底座安装  IXYS 晶体管 - FET，MOSFET - 单 安装类型 底座安装   工作温度 -  IXYS 工作温度 -  晶体管 - FET，MOSFET - 单 工作温度 -  IXYS 晶体管 - FET，MOSFET - 单 工作温度 -   系列 HiPerFET??  IXYS 系列 HiPerFET??  晶体管 - FET，MOSFET - 单 系列 HiPerFET??  IXYS 晶体管 - FET，MOSFET - 单 系列 HiPerFET??   包装 散装   IXYS 包装 散装   晶体管 - FET，MOSFET - 单 包装 散装   IXYS 晶体管 - FET，MOSFET - 单 包装 散装    零件状态 过期  IXYS 零件状态 过期  晶体管 - FET，MOSFET - 单 零件状态 过期  IXYS 晶体管 - FET，MOSFET - 单 零件状态 过期   供应商器件封装 模块  IXYS 供应商器件封装 模块  晶体管 - FET，MOSFET - 单 供应商器件封装 模块  IXYS 晶体管 - FET，MOSFET - 单 供应商器件封装 模块   技术 MOSFET（金属氧化物）  IXYS 技术 MOSFET（金属氧化物）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 技术 MOSFET（金属氧化物）  IXYS 晶体管 - FET，MOSFET - 单 技术 MOSFET（金属氧化物）   不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 2000nC @ 10V  IXYS 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 2000nC @ 10V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 2000nC @ 10V  IXYS 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 2000nC @ 10V   不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 2.1 毫欧 @ 500mA，10V  IXYS 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 2.1 毫欧 @ 500mA，10V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 2.1 毫欧 @ 500mA，10V  IXYS 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 2.1 毫欧 @ 500mA，10V   FET 类型 N 沟道  IXYS FET 类型 N 沟道  晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道  IXYS 晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道   电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 590A  IXYS 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 590A  晶体管 - FET，MOSFET - 单 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 590A  IXYS 晶体管 - FET，MOSFET - 单 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 590A   不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 50000pF @ 25V  IXYS 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 50000pF @ 25V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 50000pF @ 25V  IXYS 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 50000pF @ 25V   FET 功能 -  IXYS FET 功能 -  晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 功能 -  IXYS 晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 功能 -   不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） -  IXYS 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） -  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） -  IXYS 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） -   功率耗散（最大值） 2200W  IXYS 功率耗散（最大值） 2200W  晶体管 - FET，MOSFET - 单 功率耗散（最大值） 2200W  IXYS 晶体管 - FET，MOSFET - 单 功率耗散（最大值） 2200W   漏源电压（Vdss） 100V  IXYS 漏源电压（Vdss） 100V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 漏源电压（Vdss） 100V  IXYS 晶体管 - FET，MOSFET - 单 漏源电压（Vdss） 100V