VMM650-01F,IXYS,分立半导体产品,晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
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VMM650-01F - 

MOSFET 2N-CH 100V 680A Y3-LI

  • 非库存货
IXYS VMM650-01F
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商：
IXYS IXYS
制造商产品编号：
VMM650-01F
仓库库存编号：
VMM650-01F-ND
描述：
MOSFET 2N-CH 100V 680A Y3-LI
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 680A Chassis Mount Y3-Li
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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VMM650-01F产品属性


产品规格
  封装/外壳  Y3-Li  
  制造商  IXYS  
  安装类型  底座安装  
  工作温度  -40°C ~ 150°C（TJ）  
  系列  HiPerFET??  
  包装  散装   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  Y3-Li  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）  1440nC @ 10V  
  不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）  2.2 毫欧 @ 500A，10V  
  FET 类型  2 个 N 沟道（双）  
  电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）  680A  
  不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）  -  
  FET 功能  标准  
  不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）  4V @ 30mA  
  漏源电压（Vdss）  100V  
  功率 - 最大值  -  
关键词         

产品资料
数据列表 VMM650-01F
标准包装 2

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