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产品规格

封装/外壳	Y4
制造商	IXYS
安装类型	底座安装
工作温度	-40°C ~ 150°C（TJ）
系列	HiPerFET??
包装	散装
零件状态	在售
供应商器件封装	Y4
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）	450nC @ 10V
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）	25 毫欧 @ 500mA，10V
FET 类型	2 个 N 沟道（双）
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	84A
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	15000pF @ 25V
FET 功能	标准
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	4V @ 8mA
漏源电压（Vdss）	200V
功率 - 最大值	370W
关键词

产品资料

数据列表	VMM85-02F
标准包装	6

封装/外壳 Y4  IXYS 封装/外壳 Y4  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 封装/外壳 Y4  IXYS 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 封装/外壳 Y4   制造商 IXYS  IXYS 制造商 IXYS  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 制造商 IXYS  IXYS 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 制造商 IXYS   安装类型 底座安装  IXYS 安装类型 底座安装  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 安装类型 底座安装  IXYS 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 安装类型 底座安装   工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）  IXYS 工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）  IXYS 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）   系列 HiPerFET??  IXYS 系列 HiPerFET??  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 系列 HiPerFET??  IXYS 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 系列 HiPerFET??   包装 散装   IXYS 包装 散装   晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 包装 散装   IXYS 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 包装 散装    零件状态 在售  IXYS 零件状态 在售  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 零件状态 在售  IXYS 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 零件状态 在售   供应商器件封装 Y4  IXYS 供应商器件封装 Y4  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 供应商器件封装 Y4  IXYS 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 供应商器件封装 Y4   不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 450nC @ 10V  IXYS 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 450nC @ 10V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 450nC @ 10V  IXYS 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 450nC @ 10V   不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 25 毫欧 @ 500mA，10V  IXYS 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 25 毫欧 @ 500mA，10V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 25 毫欧 @ 500mA，10V  IXYS 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 25 毫欧 @ 500mA，10V   FET 类型 2 个 N 沟道（双）  IXYS FET 类型 2 个 N 沟道（双）  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 类型 2 个 N 沟道（双）  IXYS 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 类型 2 个 N 沟道（双）   电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 84A  IXYS 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 84A  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 84A  IXYS 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 84A   不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 15000pF @ 25V  IXYS 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 15000pF @ 25V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 15000pF @ 25V  IXYS 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 15000pF @ 25V   FET 功能 标准  IXYS FET 功能 标准  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 功能 标准  IXYS 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 功能 标准   不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 8mA  IXYS 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 8mA  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 8mA  IXYS 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 8mA   漏源电压（Vdss） 200V  IXYS 漏源电压（Vdss） 200V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 漏源电压（Vdss） 200V  IXYS 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 漏源电压（Vdss） 200V   功率 - 最大值 370W  IXYS 功率 - 最大值 370W  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 370W  IXYS 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 370W