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VMO1600-02P - 

MOSFET N-CH 200V 1900A Y3-LI

  • 已过时的产品。
IXYS VMO1600-02P
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商：
IXYS IXYS
制造商产品编号：
VMO1600-02P
仓库库存编号：
VMO1600-02P-ND
描述：
MOSFET N-CH 200V 1900A Y3-LI
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
底座安装 N 沟道 200V 1900A（Tc） Y3-Li
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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VMO1600-02P产品属性


产品规格
  封装/外壳  Y3-Li  
  制造商  IXYS  
  安装类型  底座安装  
  工作温度  -40°C ~ 150°C（TJ）  
  系列  PolarHT??  
  包装  托盘   
  零件状态  过期  
  供应商器件封装  Y3-Li  
  技术  MOSFET（金属氧化物）  
  Vgs（最大值）  ±20V  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）  2900nC @ 10V  
  不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）  1.7 毫欧 @ 1600A，10V  
  驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）  10V  
  FET 类型  N 沟道  
  电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）  1900A（Tc）  
  不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）  -  
  FET 功能  -  
  不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）  5V @ 5mA  
  功率耗散（最大值）  -  
  漏源电压（Vdss）  200V  
关键词         

产品资料
数据列表 VMO1600-02P
标准包装 2
其它名称 VMO160002P

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