NGB8206ANSL3G,Littelfuse Inc.,分立半导体产品,晶体管 - UGBT,MOSFET - 单
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NGB8206ANSL3G
NGB8206ANSL3G -
IGBT 390V 20A 150W D2PAK3
非库存货
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Littelfuse Inc.
Littelfuse Inc.
制造商产品编号:
NGB8206ANSL3G
仓库库存编号:
NGB8206ANSL3G-ND
描述:
IGBT 390V 20A 150W D2PAK3
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
IGBT Surface Mount D2PAK
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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NGB8206ANSL3G产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
制造商
Littelfuse Inc.
安装类型
表面贴装
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
系列
-
包装
管件
零件状态
在售
供应商器件封装
D2PAK
输入类型
逻辑
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
390V
Power - Max
150W
Current - Collector (Ic) (Max)
20A
测试条件
300V,9A,1 千欧,5V
开关能量
-
Current - Collector Pulsed (Icm)
50A
IGBT 类型
-
不同?Vge,Ic 时的?Vce(on)
1.9V @ 4.5V,20A
25°C 时 Td(开/关)值
-/5μs
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NGB8206AN
PCN 其它
Acquisition Oct/2016
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封装/外壳 TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
Littelfuse Inc. 封装/外壳 TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 封装/外壳 TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
Littelfuse Inc. 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 封装/外壳 TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
制造商 Littelfuse Inc.
Littelfuse Inc. 制造商 Littelfuse Inc.
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 制造商 Littelfuse Inc.
Littelfuse Inc. 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 制造商 Littelfuse Inc.
安装类型 表面贴装
Littelfuse Inc. 安装类型 表面贴装
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 安装类型 表面贴装
Littelfuse Inc. 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 安装类型 表面贴装
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
Littelfuse Inc. 工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
Littelfuse Inc. 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
系列 -
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晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 系列 -
Littelfuse Inc. 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 系列 -
包装 管件
Littelfuse Inc. 包装 管件
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 包装 管件
Littelfuse Inc. 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 包装 管件
零件状态 在售
Littelfuse Inc. 零件状态 在售
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 零件状态 在售
Littelfuse Inc. 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 零件状态 在售
供应商器件封装 D2PAK
Littelfuse Inc. 供应商器件封装 D2PAK
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 供应商器件封装 D2PAK
Littelfuse Inc. 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 供应商器件封装 D2PAK
输入类型 逻辑
Littelfuse Inc. 输入类型 逻辑
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 输入类型 逻辑
Littelfuse Inc. 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 输入类型 逻辑
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 390V
Littelfuse Inc. Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 390V
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 390V
Littelfuse Inc. 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 390V
Power - Max 150W
Littelfuse Inc. Power - Max 150W
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Power - Max 150W
Littelfuse Inc. 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Power - Max 150W
Current - Collector (Ic) (Max) 20A
Littelfuse Inc. Current - Collector (Ic) (Max) 20A
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 20A
Littelfuse Inc. 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 20A
测试条件 300V,9A,1 千欧,5V
Littelfuse Inc. 测试条件 300V,9A,1 千欧,5V
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 测试条件 300V,9A,1 千欧,5V
Littelfuse Inc. 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 测试条件 300V,9A,1 千欧,5V
开关能量 -
Littelfuse Inc. 开关能量 -
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 开关能量 -
Littelfuse Inc. 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 开关能量 -
Current - Collector Pulsed (Icm) 50A
Littelfuse Inc. Current - Collector Pulsed (Icm) 50A
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 50A
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IGBT 类型 -
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不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 1.9V @ 4.5V,20A
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晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 1.9V @ 4.5V,20A
Littelfuse Inc. 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 1.9V @ 4.5V,20A
25°C 时 Td(开/关)值 -/5μs
Littelfuse Inc. 25°C 时 Td(开/关)值 -/5μs
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 25°C 时 Td(开/关)值 -/5μs
Littelfuse Inc. 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 25°C 时 Td(开/关)值 -/5μs
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