NGD8201BNT4G,Littelfuse Inc.,分立半导体产品,晶体管 - UGBT,MOSFET - 单
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NGD8201BNT4G
NGD8201BNT4G -
IGBT 400V 20A 125W DPAK-3
非库存货
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Littelfuse Inc.
Littelfuse Inc.
制造商产品编号:
NGD8201BNT4G
仓库库存编号:
NGD8201BNT4G-ND
描述:
IGBT 400V 20A 125W DPAK-3
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
IGBT Surface Mount DPAK
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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NGD8201BNT4G产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
制造商
Littelfuse Inc.
安装类型
表面贴装
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
系列
-
包装
带卷(TR)
零件状态
在售
供应商器件封装
DPAK
输入类型
逻辑
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
430V
Power - Max
115W
Current - Collector (Ic) (Max)
15A
测试条件
300V,6.5A,1 千欧
开关能量
-
Current - Collector Pulsed (Icm)
50A
IGBT 类型
-
不同?Vge,Ic 时的?Vce(on)
1.8V @ 4.5V,10A
25°C 时 Td(开/关)值
-/4μs
关键词
产品资料
数据列表
NGD8201B-LF
标准包装
2,500
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封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
Littelfuse Inc. 封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
Littelfuse Inc. 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
制造商 Littelfuse Inc.
Littelfuse Inc. 制造商 Littelfuse Inc.
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 制造商 Littelfuse Inc.
Littelfuse Inc. 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 制造商 Littelfuse Inc.
安装类型 表面贴装
Littelfuse Inc. 安装类型 表面贴装
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 安装类型 表面贴装
Littelfuse Inc. 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 安装类型 表面贴装
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
Littelfuse Inc. 工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
Littelfuse Inc. 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
系列 -
Littelfuse Inc. 系列 -
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 系列 -
Littelfuse Inc. 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 系列 -
包装 带卷(TR)
Littelfuse Inc. 包装 带卷(TR)
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 包装 带卷(TR)
Littelfuse Inc. 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 包装 带卷(TR)
零件状态 在售
Littelfuse Inc. 零件状态 在售
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 零件状态 在售
Littelfuse Inc. 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 零件状态 在售
供应商器件封装 DPAK
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晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 供应商器件封装 DPAK
Littelfuse Inc. 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 供应商器件封装 DPAK
输入类型 逻辑
Littelfuse Inc. 输入类型 逻辑
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 输入类型 逻辑
Littelfuse Inc. 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 输入类型 逻辑
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 430V
Littelfuse Inc. Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 430V
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 430V
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Power - Max 115W
Littelfuse Inc. Power - Max 115W
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Power - Max 115W
Littelfuse Inc. 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Power - Max 115W
Current - Collector (Ic) (Max) 15A
Littelfuse Inc. Current - Collector (Ic) (Max) 15A
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 15A
Littelfuse Inc. 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 15A
测试条件 300V,6.5A,1 千欧
Littelfuse Inc. 测试条件 300V,6.5A,1 千欧
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 测试条件 300V,6.5A,1 千欧
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开关能量 -
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晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 开关能量 -
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Current - Collector Pulsed (Icm) 50A
Littelfuse Inc. Current - Collector Pulsed (Icm) 50A
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 50A
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IGBT 类型 -
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不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 1.8V @ 4.5V,10A
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晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 1.8V @ 4.5V,10A
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25°C 时 Td(开/关)值 -/4μs
Littelfuse Inc. 25°C 时 Td(开/关)值 -/4μs
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 25°C 时 Td(开/关)值 -/4μs
Littelfuse Inc. 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 25°C 时 Td(开/关)值 -/4μs
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