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产品规格

封装/外壳	8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）裸露焊盘
制造商	Maxim Integrated
安装类型	表面贴装
工作温度	150°C（TJ）
系列	-
包装	带卷（TR）
零件状态	已不再提供
供应商器件封装	8-SOIC-EP
晶体管类型	NPN
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）	100 @ 250mA，3V
频率 - 跃迁	1GHz
功率 - 最大值	6.4W
电流 - 集电极（Ic）（最大值）	1.2A
电压 - 集射极击穿（最大值）	15V
增益	11.6dB
噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）	3.3dB @ 836MHz
关键词

产品资料

数据列表	MAX2601/02
应用说明	Maxim Wireless/RF Power Amplifier Selector Guide General Layout Guidelines for RF and Mixed-Signal PCBs
标准包装	2,500

封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）裸露焊盘  Maxim Integrated 封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）裸露焊盘  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）裸露焊盘  Maxim Integrated 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）裸露焊盘   制造商 Maxim Integrated  Maxim Integrated 制造商 Maxim Integrated  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 制造商 Maxim Integrated  Maxim Integrated 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 制造商 Maxim Integrated   安装类型 表面贴装  Maxim Integrated 安装类型 表面贴装  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 安装类型 表面贴装  Maxim Integrated 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 安装类型 表面贴装   工作温度 150°C（TJ）  Maxim Integrated 工作温度 150°C（TJ）  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 工作温度 150°C（TJ）  Maxim Integrated 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 工作温度 150°C（TJ）   系列 -  Maxim Integrated 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 系列 -  Maxim Integrated 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 系列 -   包装 带卷（TR）   Maxim Integrated 包装 带卷（TR）   晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 包装 带卷（TR）   Maxim Integrated 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 包装 带卷（TR）    零件状态  已不再提供  Maxim Integrated 零件状态  已不再提供  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 零件状态  已不再提供  Maxim Integrated 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 零件状态  已不再提供   供应商器件封装 8-SOIC-EP  Maxim Integrated 供应商器件封装 8-SOIC-EP  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 供应商器件封装 8-SOIC-EP  Maxim Integrated 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 供应商器件封装 8-SOIC-EP   晶体管类型 NPN  Maxim Integrated 晶体管类型 NPN  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 晶体管类型 NPN  Maxim Integrated 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 晶体管类型 NPN   不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 100 @ 250mA，3V  Maxim Integrated 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 100 @ 250mA，3V  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 100 @ 250mA，3V  Maxim Integrated 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 100 @ 250mA，3V   频率 - 跃迁 1GHz  Maxim Integrated 频率 - 跃迁 1GHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 频率 - 跃迁 1GHz  Maxim Integrated 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 频率 - 跃迁 1GHz   功率 - 最大值 6.4W  Maxim Integrated 功率 - 最大值 6.4W  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 功率 - 最大值 6.4W  Maxim Integrated 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 功率 - 最大值 6.4W   电流 - 集电极（Ic）（最大值） 1.2A  Maxim Integrated 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 1.2A  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 1.2A  Maxim Integrated 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 1.2A   电压 - 集射极击穿（最大值） 15V  Maxim Integrated 电压 - 集射极击穿（最大值） 15V  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 电压 - 集射极击穿（最大值） 15V  Maxim Integrated 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 电压 - 集射极击穿（最大值） 15V   增益 11.6dB  Maxim Integrated 增益 11.6dB  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 增益 11.6dB  Maxim Integrated 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 增益 11.6dB   噪声系数（dB，不同 f 时的典型值） 3.3dB @ 836MHz  Maxim Integrated 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值） 3.3dB @ 836MHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值） 3.3dB @ 836MHz  Maxim Integrated 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值） 3.3dB @ 836MHz