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产品规格

封装/外壳	6-TSSOP，SC-88，SOT-363
制造商	Micro Commercial Co
安装类型	表面贴装
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
系列	-
包装	剪切带（CT）
零件状态	过期
供应商器件封装	SOT-363
晶体管类型	2 NPN（双）配对
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）	80 @ 10mA，5V
电流 - 集电极截止（最大值）	50nA（ICBO）
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）	150mV @ 1mA，10mA
频率 - 跃迁	300MHz
功率 - 最大值	200mW
电流 - 集电极（Ic）（最大值）	200mA
电压 - 集射极击穿（最大值）	160V
关键词

产品资料

数据列表	DMMT5551
标准包装	1
其它名称	DMMT5551-TPCT DMMT5551TP

封装/外壳 6-TSSOP，SC-88，SOT-363  Micro Commercial Co 封装/外壳 6-TSSOP，SC-88，SOT-363  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 封装/外壳 6-TSSOP，SC-88，SOT-363  Micro Commercial Co 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 封装/外壳 6-TSSOP，SC-88，SOT-363   制造商 Micro Commercial Co  Micro Commercial Co 制造商 Micro Commercial Co  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 制造商 Micro Commercial Co  Micro Commercial Co 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 制造商 Micro Commercial Co   安装类型 表面贴装  Micro Commercial Co 安装类型 表面贴装  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 安装类型 表面贴装  Micro Commercial Co 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 安装类型 表面贴装   工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Micro Commercial Co 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Micro Commercial Co 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）   系列 -  Micro Commercial Co 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 系列 -  Micro Commercial Co 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 系列 -   包装 剪切带（CT）   Micro Commercial Co 包装 剪切带（CT）   晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 包装 剪切带（CT）   Micro Commercial Co 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 包装 剪切带（CT）    零件状态 过期  Micro Commercial Co 零件状态 过期  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 零件状态 过期  Micro Commercial Co 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 零件状态 过期   供应商器件封装 SOT-363  Micro Commercial Co 供应商器件封装 SOT-363  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 供应商器件封装 SOT-363  Micro Commercial Co 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 供应商器件封装 SOT-363   晶体管类型 2 NPN（双）配对  Micro Commercial Co 晶体管类型 2 NPN（双）配对  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 晶体管类型 2 NPN（双）配对  Micro Commercial Co 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 晶体管类型 2 NPN（双）配对   不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 80 @ 10mA，5V  Micro Commercial Co 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 80 @ 10mA，5V  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 80 @ 10mA，5V  Micro Commercial Co 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 80 @ 10mA，5V   电流 - 集电极截止（最大值） 50nA（ICBO）  Micro Commercial Co 电流 - 集电极截止（最大值） 50nA（ICBO）  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电流 - 集电极截止（最大值） 50nA（ICBO）  Micro Commercial Co 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电流 - 集电极截止（最大值） 50nA（ICBO）   不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 150mV @ 1mA，10mA  Micro Commercial Co 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 150mV @ 1mA，10mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 150mV @ 1mA，10mA  Micro Commercial Co 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 150mV @ 1mA，10mA   频率 - 跃迁 300MHz  Micro Commercial Co 频率 - 跃迁 300MHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 频率 - 跃迁 300MHz  Micro Commercial Co 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 频率 - 跃迁 300MHz   功率 - 最大值 200mW  Micro Commercial Co 功率 - 最大值 200mW  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 功率 - 最大值 200mW  Micro Commercial Co 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 功率 - 最大值 200mW   电流 - 集电极（Ic）（最大值） 200mA  Micro Commercial Co 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 200mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 200mA  Micro Commercial Co 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 200mA   电压 - 集射极击穿（最大值） 160V  Micro Commercial Co 电压 - 集射极击穿（最大值） 160V  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电压 - 集射极击穿（最大值） 160V  Micro Commercial Co 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电压 - 集射极击穿（最大值） 160V