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产品规格

封装/外壳	6-WFDFN 裸露焊盘
制造商	Micro Commercial Co
安装类型	表面贴装
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
系列	-
包装	剪切带（CT）
零件状态	在售
供应商器件封装	DFN2030-6
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）	17.9nC @ 4.5V
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）	13 毫欧 @ 8A，10V
FET 类型	2 N 沟道（双）共漏
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	8A
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	1800pF @ 10V
FET 功能	标准
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	1V @ 250μA
漏源电压（Vdss）	20V
功率 - 最大值	-
关键词

产品资料

数据列表	MCCD2005
标准包装	1
其它名称	MCCD2005-TPMSCT

封装/外壳 6-WFDFN 裸露焊盘  Micro Commercial Co 封装/外壳 6-WFDFN 裸露焊盘  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 封装/外壳 6-WFDFN 裸露焊盘  Micro Commercial Co 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 封装/外壳 6-WFDFN 裸露焊盘   制造商 Micro Commercial Co  Micro Commercial Co 制造商 Micro Commercial Co  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 制造商 Micro Commercial Co  Micro Commercial Co 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 制造商 Micro Commercial Co   安装类型 表面贴装  Micro Commercial Co 安装类型 表面贴装  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装  Micro Commercial Co 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装   工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Micro Commercial Co 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Micro Commercial Co 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）   系列 -  Micro Commercial Co 系列 -  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 系列 -  Micro Commercial Co 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 系列 -   包装 剪切带（CT）   Micro Commercial Co 包装 剪切带（CT）   晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 包装 剪切带（CT）   Micro Commercial Co 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 包装 剪切带（CT）    零件状态 在售  Micro Commercial Co 零件状态 在售  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 零件状态 在售  Micro Commercial Co 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 零件状态 在售   供应商器件封装 DFN2030-6  Micro Commercial Co 供应商器件封装 DFN2030-6  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 供应商器件封装 DFN2030-6  Micro Commercial Co 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 供应商器件封装 DFN2030-6   不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17.9nC @ 4.5V  Micro Commercial Co 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17.9nC @ 4.5V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17.9nC @ 4.5V  Micro Commercial Co 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17.9nC @ 4.5V   不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 13 毫欧 @ 8A，10V  Micro Commercial Co 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 13 毫欧 @ 8A，10V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 13 毫欧 @ 8A，10V  Micro Commercial Co 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 13 毫欧 @ 8A，10V   FET 类型 2 N 沟道（双）共漏  Micro Commercial Co FET 类型 2 N 沟道（双）共漏  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 类型 2 N 沟道（双）共漏  Micro Commercial Co 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 类型 2 N 沟道（双）共漏   电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 8A  Micro Commercial Co 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 8A  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 8A  Micro Commercial Co 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 8A   不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1800pF @ 10V  Micro Commercial Co 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1800pF @ 10V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1800pF @ 10V  Micro Commercial Co 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1800pF @ 10V   FET 功能 标准  Micro Commercial Co FET 功能 标准  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 功能 标准  Micro Commercial Co 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 功能 标准   不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA  Micro Commercial Co 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA  Micro Commercial Co 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA   漏源电压（Vdss） 20V  Micro Commercial Co 漏源电压（Vdss） 20V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 漏源电压（Vdss） 20V  Micro Commercial Co 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 漏源电压（Vdss） 20V   功率 - 最大值 -  Micro Commercial Co 功率 - 最大值 -  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 -  Micro Commercial Co 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 -