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产品规格

封装/外壳	6-WDFN 裸露焊盘
制造商	Micro Commercial Co
安装类型	表面贴装
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
系列	-
包装	剪切带（CT）
零件状态	在售
供应商器件封装	DFN2020-6J
技术	MOSFET（金属氧化物）
Vgs（最大值）	±8V
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）	100nC @ 8V
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）	21 毫欧 @ 6.7A，4.5V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	2.5V，4.5V
FET 类型	P 沟道
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	16A（Ta）
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	2700pF @ 10V
FET 功能	-
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	1V @ 250μA
功率耗散（最大值）	2.5W（Ta）, 18W（Tc）
漏源电压（Vdss）	12V
关键词

产品资料

数据列表	MCM1216
标准包装	1
其它名称	MCM1216-TPMSCT

封装/外壳 6-WDFN 裸露焊盘  Micro Commercial Co 封装/外壳 6-WDFN 裸露焊盘  晶体管 - FET，MOSFET - 单 封装/外壳 6-WDFN 裸露焊盘  Micro Commercial Co 晶体管 - FET，MOSFET - 单 封装/外壳 6-WDFN 裸露焊盘   制造商 Micro Commercial Co  Micro Commercial Co 制造商 Micro Commercial Co  晶体管 - FET，MOSFET - 单 制造商 Micro Commercial Co  Micro Commercial Co 晶体管 - FET，MOSFET - 单 制造商 Micro Commercial Co   安装类型 表面贴装  Micro Commercial Co 安装类型 表面贴装  晶体管 - FET，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装  Micro Commercial Co 晶体管 - FET，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装   工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Micro Commercial Co 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Micro Commercial Co 晶体管 - FET，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）   系列 -  Micro Commercial Co 系列 -  晶体管 - FET，MOSFET - 单 系列 -  Micro Commercial Co 晶体管 - FET，MOSFET - 单 系列 -   包装 剪切带（CT）   Micro Commercial Co 包装 剪切带（CT）   晶体管 - FET，MOSFET - 单 包装 剪切带（CT）   Micro Commercial Co 晶体管 - FET，MOSFET - 单 包装 剪切带（CT）    零件状态 在售  Micro Commercial Co 零件状态 在售  晶体管 - FET，MOSFET - 单 零件状态 在售  Micro Commercial Co 晶体管 - FET，MOSFET - 单 零件状态 在售   供应商器件封装 DFN2020-6J  Micro Commercial Co 供应商器件封装 DFN2020-6J  晶体管 - FET，MOSFET - 单 供应商器件封装 DFN2020-6J  Micro Commercial Co 晶体管 - FET，MOSFET - 单 供应商器件封装 DFN2020-6J   技术 MOSFET（金属氧化物）  Micro Commercial Co 技术 MOSFET（金属氧化物）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 技术 MOSFET（金属氧化物）  Micro Commercial Co 晶体管 - FET，MOSFET - 单 技术 MOSFET（金属氧化物）   Vgs（最大值） ±8V  Micro Commercial Co Vgs（最大值） ±8V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 Vgs（最大值） ±8V  Micro Commercial Co 晶体管 - FET，MOSFET - 单 Vgs（最大值） ±8V   不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 100nC @ 8V  Micro Commercial Co 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 100nC @ 8V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 100nC @ 8V  Micro Commercial Co 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 100nC @ 8V   不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 21 毫欧 @ 6.7A，4.5V  Micro Commercial Co 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 21 毫欧 @ 6.7A，4.5V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 21 毫欧 @ 6.7A，4.5V  Micro Commercial Co 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 21 毫欧 @ 6.7A，4.5V   驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.5V，4.5V  Micro Commercial Co 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.5V，4.5V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.5V，4.5V  Micro Commercial Co 晶体管 - FET，MOSFET - 单 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.5V，4.5V   FET 类型 P 沟道  Micro Commercial Co FET 类型 P 沟道  晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 类型 P 沟道  Micro Commercial Co 晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 类型 P 沟道   电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 16A（Ta）  Micro Commercial Co 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 16A（Ta）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 16A（Ta）  Micro Commercial Co 晶体管 - FET，MOSFET - 单 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 16A（Ta）   不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2700pF @ 10V  Micro Commercial Co 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2700pF @ 10V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2700pF @ 10V  Micro Commercial Co 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2700pF @ 10V   FET 功能 -  Micro Commercial Co FET 功能 -  晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 功能 -  Micro Commercial Co 晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 功能 -   不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA  Micro Commercial Co 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA  Micro Commercial Co 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA   功率耗散（最大值） 2.5W（Ta）, 18W（Tc）  Micro Commercial Co 功率耗散（最大值） 2.5W（Ta）, 18W（Tc）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 功率耗散（最大值） 2.5W（Ta）, 18W（Tc）  Micro Commercial Co 晶体管 - FET，MOSFET - 单 功率耗散（最大值） 2.5W（Ta）, 18W（Tc）   漏源电压（Vdss） 12V  Micro Commercial Co 漏源电压（Vdss） 12V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 漏源电压（Vdss） 12V  Micro Commercial Co 晶体管 - FET，MOSFET - 单 漏源电压（Vdss） 12V