SI2303-TP,Micro Commercial Co,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 单
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
>
晶体管 - FET,MOSFET - 单
>
SI2303-TP
SI2303-TP -
P-CHANNEL MOSFET, SOT-23 PACKAGE
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Micro Commercial Co
Micro Commercial Co
制造商产品编号:
SI2303-TP
仓库库存编号:
SI2303-TPMSCT-ND
描述:
P-CHANNEL MOSFET, SOT-23 PACKAGE
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
表面贴装 P 沟道 3A(Ta) 250mW(Ta) SOT-23
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
SI2303-TP产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
制造商
Micro Commercial Co
安装类型
表面贴装
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
系列
-
包装
剪切带(CT)
零件状态
在售
供应商器件封装
SOT-23
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
10nC @ 10V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
180 毫欧 @ 2A,4.5V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
FET 类型
P 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
3A(Ta)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
226pF @ 100V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250μA
功率耗散(最大值)
250mW(Ta)
漏源电压(Vdss)
30V
关键词
产品资料
数据列表
SI2303
标准包装
1
其它名称
SI2303-TPMSCT
SI2303-TP您可能还对以下元器件感兴趣
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 3A SOT-23
详细描述:表面贴装 P 沟道 3A(Ta) 1.25W(Ta) Micro3?/SOT-23
型号:
IRLML5203TRPBF
仓库库存编号:
IRLML5203TRPBFCT-ND
别名:IRLML5203TRPBFCT
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT-23
详细描述:表面贴装 P 沟道 2.5A(Ta) 760mW(Ta) SOT-23
型号:
DMG2307L-7
仓库库存编号:
DMG2307L-7DICT-ND
别名:DMG2307L-7DICT
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 4.8A SOT-23
详细描述:表面贴装 P 沟道 4.8A(Tc) 1W(Ta),1.7W(Tc) SOT-23
型号:
SI2371EDS-T1-GE3
仓库库存编号:
SI2371EDS-T1-GE3CT-ND
别名:SI2371EDS-T1-GE3CT
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 30V SOT23
详细描述:表面贴装 P 沟道 3.8A(Ta) 1.08W(Ta) SOT-23
型号:
DMP3099L-7
仓库库存编号:
DMP3099L-7DICT-ND
别名:DMP3099L-7DICT
无铅
搜索
SI2303-TP相关搜索
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
Micro Commercial Co 封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
晶体管 - FET,MOSFET - 单 封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
Micro Commercial Co 晶体管 - FET,MOSFET - 单 封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
制造商 Micro Commercial Co
Micro Commercial Co 制造商 Micro Commercial Co
晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 Micro Commercial Co
Micro Commercial Co 晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 Micro Commercial Co
安装类型 表面贴装
Micro Commercial Co 安装类型 表面贴装
晶体管 - FET,MOSFET - 单 安装类型 表面贴装
Micro Commercial Co 晶体管 - FET,MOSFET - 单 安装类型 表面贴装
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
Micro Commercial Co 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
Micro Commercial Co 晶体管 - FET,MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
系列 -
Micro Commercial Co 系列 -
晶体管 - FET,MOSFET - 单 系列 -
Micro Commercial Co 晶体管 - FET,MOSFET - 单 系列 -
包装 剪切带(CT)
Micro Commercial Co 包装 剪切带(CT)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 包装 剪切带(CT)
Micro Commercial Co 晶体管 - FET,MOSFET - 单 包装 剪切带(CT)
零件状态 在售
Micro Commercial Co 零件状态 在售
晶体管 - FET,MOSFET - 单 零件状态 在售
Micro Commercial Co 晶体管 - FET,MOSFET - 单 零件状态 在售
供应商器件封装 SOT-23
Micro Commercial Co 供应商器件封装 SOT-23
晶体管 - FET,MOSFET - 单 供应商器件封装 SOT-23
Micro Commercial Co 晶体管 - FET,MOSFET - 单 供应商器件封装 SOT-23
技术 MOSFET(金属氧化物)
Micro Commercial Co 技术 MOSFET(金属氧化物)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 技术 MOSFET(金属氧化物)
Micro Commercial Co 晶体管 - FET,MOSFET - 单 技术 MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值) ±20V
Micro Commercial Co Vgs(最大值) ±20V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 Vgs(最大值) ±20V
Micro Commercial Co 晶体管 - FET,MOSFET - 单 Vgs(最大值) ±20V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 10V
Micro Commercial Co 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 10V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 10V
Micro Commercial Co 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 10V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 180 毫欧 @ 2A,4.5V
Micro Commercial Co 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 180 毫欧 @ 2A,4.5V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 180 毫欧 @ 2A,4.5V
Micro Commercial Co 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 180 毫欧 @ 2A,4.5V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
Micro Commercial Co 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
Micro Commercial Co 晶体管 - FET,MOSFET - 单 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
FET 类型 P 沟道
Micro Commercial Co FET 类型 P 沟道
晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 类型 P 沟道
Micro Commercial Co 晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 类型 P 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 3A(Ta)
Micro Commercial Co 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 3A(Ta)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 3A(Ta)
Micro Commercial Co 晶体管 - FET,MOSFET - 单 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 3A(Ta)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 226pF @ 100V
Micro Commercial Co 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 226pF @ 100V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 226pF @ 100V
Micro Commercial Co 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 226pF @ 100V
FET 功能 -
Micro Commercial Co FET 功能 -
晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 功能 -
Micro Commercial Co 晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 功能 -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250μA
Micro Commercial Co 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250μA
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250μA
Micro Commercial Co 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250μA
功率耗散(最大值) 250mW(Ta)
Micro Commercial Co 功率耗散(最大值) 250mW(Ta)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 250mW(Ta)
Micro Commercial Co 晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 250mW(Ta)
漏源电压(Vdss) 30V
Micro Commercial Co 漏源电压(Vdss) 30V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 30V
Micro Commercial Co 晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 30V
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号