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SI2333-TP - 

P-CHANNEL MOSFET, SOT-23 PACKAGE

Micro Commercial Co SI2333-TP
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
SI2333-TP
仓库库存编号:
SI2333-TPMSCT-ND
描述:
P-CHANNEL MOSFET, SOT-23 PACKAGE
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
表面贴装 P 沟道 6A(Tc) 350mW(Tc) SOT-23
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!

SI2333-TP产品属性


产品规格
  封装/外壳  TO-236-3,SC-59,SOT-23-3  
  制造商  Micro Commercial Co  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -55°C ~ 150°C(TJ)  
  系列  -  
  包装  剪切带(CT)   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  SOT-23  
  技术  MOSFET(金属氧化物)  
  Vgs(最大值)  ±8V  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)  2nC @ 4.5V  
  不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)  150 毫欧 @ 500mA,1.5V  
  驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)  4.5V  
  FET 类型  P 沟道  
  电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)  6A(Tc)  
  不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)  1275pF @ 6V  
  FET 功能  -  
  不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)  1V @ 250μA  
  功率耗散(最大值)  350mW(Tc)  
  漏源电压(Vdss)  12V  
关键词         

产品资料
数据列表 SI2333
标准包装 1
其它名称 SI2333-TPMSCT

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