SI3415-TP,Micro Commercial Co,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 单
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SI3415-TP
SI3415-TP -
MOSFET P-CH 20V 4A SOT-23
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Micro Commercial Co
Micro Commercial Co
制造商产品编号:
SI3415-TP
仓库库存编号:
SI3415-TPMSCT-ND
描述:
MOSFET P-CH 20V 4A SOT-23
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
表面贴装 P 沟道 4A(Ta) 350mW(Ta) SOT-23
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
SI3415-TP产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
制造商
Micro Commercial Co
安装类型
表面贴装
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
系列
-
包装
剪切带(CT)
零件状态
在售
供应商器件封装
SOT-23
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
±8V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
17.2nC @ 4.5V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
50 毫欧 @ 4A,4.5V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.8V,4.5V
FET 类型
P 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
4A(Ta)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
1450pF @ 10V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250μA
功率耗散(最大值)
350mW(Ta)
漏源电压(Vdss)
20V
关键词
产品资料
数据列表
SI3415
标准包装
1
其它名称
SI3415-TPMSCT
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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型号:
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仓库库存编号:
DMG3415UDICT-ND
别名:DMG3415UDICT
无铅
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型号:
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仓库库存编号:
1727-4692-1-ND
别名:1727-4692-1
568-5818-1
568-5818-1-ND
无铅
搜索
Diodes Incorporated
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详细描述:表面贴装 P 沟道 4.2A(Ta) 1.4W(Ta) SOT-23
型号:
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别名:DMG2305UX-13DICT
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封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
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制造商 Micro Commercial Co
Micro Commercial Co 制造商 Micro Commercial Co
晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 Micro Commercial Co
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安装类型 表面贴装
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Micro Commercial Co 晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 20V
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