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2N7000-G - 

MOSFET N-CH 60V 0.2A TO92-3

Microchip Technology 2N7000-G
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
2N7000-G
仓库库存编号：
2N7000-G-ND
描述：
MOSFET N-CH 60V 0.2A TO92-3
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
通孔 N 沟道 200mA（Tj） 1W（Tc） TO-92-3
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！

2N7000-G产品属性


产品规格
  封装/外壳  TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）  
  制造商  Microchip Technology  
  安装类型  通孔  
  工作温度  -55°C ~ 150°C（TJ）  
  系列  -  
  包装  散装   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  TO-92-3  
  技术  MOSFET（金属氧化物）  
  Vgs（最大值）  ±30V  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）  -  
  不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）  5 欧姆 @ 500mA，10V  
  驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）  4.5V，10V  
  FET 类型  N 沟道  
  电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）  200mA（Tj）  
  不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）  60pF @ 25V  
  FET 功能  -  
  不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）  3V @ 1mA  
  功率耗散（最大值）  1W（Tc）  
  漏源电压（Vdss）  60V  
关键词         

产品资料
数据列表 2N7000
设计资源 2N7000 Development Tool Selector
PCN 封装 Label and Packing Changes 23/Sep/2015
标准包装 1,000

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