关于我们 | 联系我们

库存查询

产品规格

封装/外壳	TO-243AA
制造商	Microchip Technology
安装类型	表面贴装
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
系列	-
包装	剪切带（CT）
零件状态	在售
供应商器件封装	TO-243AA（SOT-89）
技术	MOSFET（金属氧化物）
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）	-
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）	10 欧姆 @ 150mA，0V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	0V
FET 类型	N 沟道
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	230mA（Tj）
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	360pF @ 25V
FET 功能	耗尽模式
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	-
功率耗散（最大值）	1.6W（Ta）
漏源电压（Vdss）	350V
关键词

产品资料

数据列表	DN3535
设计资源	DN3535 Development Tool Selector
PCN 设计/规格	Die Attach Material Update 26/Aug/2015
PCN 组件/产地	Fab Site Addition 14/Aug/2014 Fab Site Revision 07/Apr/2015 Die Material/Assembly Site 29/Jul/2015
标准包装	1
其它名称	DN3535N8-GCT

封装/外壳 TO-243AA  Microchip Technology 封装/外壳 TO-243AA  晶体管 - FET，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-243AA  Microchip Technology 晶体管 - FET，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-243AA   制造商 Microchip Technology  Microchip Technology 制造商 Microchip Technology  晶体管 - FET，MOSFET - 单 制造商 Microchip Technology  Microchip Technology 晶体管 - FET，MOSFET - 单 制造商 Microchip Technology   安装类型 表面贴装  Microchip Technology 安装类型 表面贴装  晶体管 - FET，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装  Microchip Technology 晶体管 - FET，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装   工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Microchip Technology 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Microchip Technology 晶体管 - FET，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）   系列 -  Microchip Technology 系列 -  晶体管 - FET，MOSFET - 单 系列 -  Microchip Technology 晶体管 - FET，MOSFET - 单 系列 -   包装 剪切带（CT）   Microchip Technology 包装 剪切带（CT）   晶体管 - FET，MOSFET - 单 包装 剪切带（CT）   Microchip Technology 晶体管 - FET，MOSFET - 单 包装 剪切带（CT）    零件状态 在售  Microchip Technology 零件状态 在售  晶体管 - FET，MOSFET - 单 零件状态 在售  Microchip Technology 晶体管 - FET，MOSFET - 单 零件状态 在售   供应商器件封装 TO-243AA（SOT-89）  Microchip Technology 供应商器件封装 TO-243AA（SOT-89）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-243AA（SOT-89）  Microchip Technology 晶体管 - FET，MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-243AA（SOT-89）   技术 MOSFET（金属氧化物）  Microchip Technology 技术 MOSFET（金属氧化物）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 技术 MOSFET（金属氧化物）  Microchip Technology 晶体管 - FET，MOSFET - 单 技术 MOSFET（金属氧化物）   Vgs（最大值） ±20V  Microchip Technology Vgs（最大值） ±20V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 Vgs（最大值） ±20V  Microchip Technology 晶体管 - FET，MOSFET - 单 Vgs（最大值） ±20V   不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -  Microchip Technology 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -  Microchip Technology 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -   不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 10 欧姆 @ 150mA，0V  Microchip Technology 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 10 欧姆 @ 150mA，0V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 10 欧姆 @ 150mA，0V  Microchip Technology 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 10 欧姆 @ 150mA，0V   驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 0V  Microchip Technology 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 0V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 0V  Microchip Technology 晶体管 - FET，MOSFET - 单 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 0V   FET 类型 N 沟道  Microchip Technology FET 类型 N 沟道  晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道  Microchip Technology 晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道   电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 230mA（Tj）  Microchip Technology 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 230mA（Tj）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 230mA（Tj）  Microchip Technology 晶体管 - FET，MOSFET - 单 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 230mA（Tj）   不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 360pF @ 25V  Microchip Technology 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 360pF @ 25V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 360pF @ 25V  Microchip Technology 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 360pF @ 25V   FET 功能 耗尽模式  Microchip Technology FET 功能 耗尽模式  晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 功能 耗尽模式  Microchip Technology 晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 功能 耗尽模式   不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） -  Microchip Technology 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） -  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） -  Microchip Technology 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） -   功率耗散（最大值） 1.6W（Ta）  Microchip Technology 功率耗散（最大值） 1.6W（Ta）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 功率耗散（最大值） 1.6W（Ta）  Microchip Technology 晶体管 - FET，MOSFET - 单 功率耗散（最大值） 1.6W（Ta）   漏源电压（Vdss） 350V  Microchip Technology 漏源电压（Vdss） 350V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 漏源电压（Vdss） 350V  Microchip Technology 晶体管 - FET，MOSFET - 单 漏源电压（Vdss） 350V