LN100LA-G,Microchip Technology,分立半导体产品,晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
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LN100LA-G - 

MOSFET 2N-CH 1200V

  • 已过时的产品。
Microchip Technology LN100LA-G
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
LN100LA-G
仓库库存编号：
LN100LA-G-ND
描述：
MOSFET 2N-CH 1200V
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
Mosfet Array 2 N-Channel (Cascoded) 1200V (1.2kV) 350mW Surface Mount 6-LFGA (3x3)
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！

LN100LA-G产品属性


产品规格
  封装/外壳  6-VFLGA  
  制造商  Microchip Technology  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -25°C ~ 125°C（TJ）  
  系列  -  
  包装  带卷（TR）   
  零件状态  过期  
  供应商器件封装  6-LFGA（3x3）  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）  -  
  不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）  3000 欧姆 @ 2mA，2.8V  
  FET 类型  2 N-沟道（级联）  
  电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）  -  
  不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）  50pF @ 25V  
  FET 功能  标准  
  不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）  1.6V @ 10μA  
  漏源电压（Vdss）  1200V（1.2kV）  
  功率 - 最大值  350mW  
关键词         

产品资料
PCN 封装 Label and Packing Changes 23/Sep/2015
标准包装 3,000

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