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LND01K1-G - 

MOSFET N-CH 9V 330MA SOT23-5

Microchip Technology LND01K1-G
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
LND01K1-G
仓库库存编号：
LND01K1-GCT-ND
描述：
MOSFET N-CH 9V 330MA SOT23-5
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
表面贴装 N 沟道 330mA（Tj） 360mW（Ta） SOT-23-5
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！

LND01K1-G产品属性


产品规格
  封装/外壳  SC-74A，SOT-753  
  制造商  Microchip Technology  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -25°C ~ 125°C（TJ）  
  系列  -  
  包装  剪切带（CT）   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  SOT-23-5  
  技术  MOSFET（金属氧化物）  
  Vgs（最大值）  +0.6V，-12V  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）  -  
  不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）  1.4 欧姆 @ 100mA，0V  
  驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）  0V  
  FET 类型  N 沟道  
  电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）  330mA（Tj）  
  不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）  46pF @ 5V  
  FET 功能  耗尽模式  
  不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）  -  
  功率耗散（最大值）  360mW（Ta）  
  漏源电压（Vdss）  9V  
关键词         

产品资料
数据列表 LND01
设计资源 LND01 Development Tool Selector
PCN 组件/产地 Fab Site Addition 14/Aug/2014
Fab Site Addition Update 07/Oct/2015
标准包装 1
其它名称 LND01K1-GCT

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