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LND150N8-G - 

MOSFET N-CH 500V 30MA SOT89-3

Microchip Technology LND150N8-G
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
LND150N8-G
仓库库存编号：
LND150N8-GCT-ND
描述：
MOSFET N-CH 500V 30MA SOT89-3
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
表面贴装 N 沟道 30mA（Tj） 1.6W（Ta） SOT-89-3
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！

LND150N8-G产品属性


产品规格
  封装/外壳  TO-243AA  
  制造商  Microchip Technology  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -55°C ~ 150°C（TJ）  
  系列  -  
  包装  剪切带（CT）   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  SOT-89-3  
  技术  MOSFET（金属氧化物）  
  Vgs（最大值）  ±20V  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）  -  
  不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）  1000 欧姆 @ 500μA，0V  
  驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）  0V  
  FET 类型  N 沟道  
  电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）  30mA（Tj）  
  不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）  10pF @ 25V  
  FET 功能  耗尽模式  
  不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）  -  
  功率耗散（最大值）  1.6W（Ta）  
  漏源电压（Vdss）  500V  
关键词         

产品资料
数据列表 LND150
设计资源 LND150 Development Tool Selector
PCN 设计/规格 Die Attach Material Update 26/Aug/2015
PCN 组件/产地 Fab Site Addition 14/Aug/2014
Die Material/Assembly Site 29/Jul/2015
Fab Site Addition Rev 16/Oct/2015
标准包装 1
其它名称 LND150N8-GCT

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