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产品规格

封装/外壳	8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
制造商	Microchip Technology
安装类型	表面贴装
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
系列	-
包装	带卷（TR）
零件状态	在售
供应商器件封装	8-SOIC
技术	MOSFET（金属氧化物）
Vgs（最大值）	±10V
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）	-
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）	1.5 欧姆 @ 300mA，5V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	2V，5V
FET 类型	P 沟道
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	700mA（Tj）
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	250pF @ 15V
FET 功能	-
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	1V @ 1mA
功率耗散（最大值）	1.5W（Tc）
漏源电压（Vdss）	16.5V
关键词

产品资料

数据列表	LP0701
设计资源	LP0701 Development Tool Selector
PCN 组件/产地	Qualification Supertex Devices 22/Jul/2014 Fab Site Addition 14/Aug/2014 Qualification Revision 06/Apr/2015 Qualification Revision 13/Oct/2015
标准包装	3,300

封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）  Microchip Technology 封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）  Microchip Technology 晶体管 - FET，MOSFET - 单 封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）   制造商 Microchip Technology  Microchip Technology 制造商 Microchip Technology  晶体管 - FET，MOSFET - 单 制造商 Microchip Technology  Microchip Technology 晶体管 - FET，MOSFET - 单 制造商 Microchip Technology   安装类型 表面贴装  Microchip Technology 安装类型 表面贴装  晶体管 - FET，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装  Microchip Technology 晶体管 - FET，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装   工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Microchip Technology 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Microchip Technology 晶体管 - FET，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）   系列 -  Microchip Technology 系列 -  晶体管 - FET，MOSFET - 单 系列 -  Microchip Technology 晶体管 - FET，MOSFET - 单 系列 -   包装 带卷（TR）   Microchip Technology 包装 带卷（TR）   晶体管 - FET，MOSFET - 单 包装 带卷（TR）   Microchip Technology 晶体管 - FET，MOSFET - 单 包装 带卷（TR）    零件状态 在售  Microchip Technology 零件状态 在售  晶体管 - FET，MOSFET - 单 零件状态 在售  Microchip Technology 晶体管 - FET，MOSFET - 单 零件状态 在售   供应商器件封装 8-SOIC  Microchip Technology 供应商器件封装 8-SOIC  晶体管 - FET，MOSFET - 单 供应商器件封装 8-SOIC  Microchip Technology 晶体管 - FET，MOSFET - 单 供应商器件封装 8-SOIC   技术 MOSFET（金属氧化物）  Microchip Technology 技术 MOSFET（金属氧化物）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 技术 MOSFET（金属氧化物）  Microchip Technology 晶体管 - FET，MOSFET - 单 技术 MOSFET（金属氧化物）   Vgs（最大值） ±10V  Microchip Technology Vgs（最大值） ±10V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 Vgs（最大值） ±10V  Microchip Technology 晶体管 - FET，MOSFET - 单 Vgs（最大值） ±10V   不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -  Microchip Technology 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -  Microchip Technology 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -   不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 1.5 欧姆 @ 300mA，5V  Microchip Technology 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 1.5 欧姆 @ 300mA，5V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 1.5 欧姆 @ 300mA，5V  Microchip Technology 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 1.5 欧姆 @ 300mA，5V   驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 2V，5V  Microchip Technology 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 2V，5V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 2V，5V  Microchip Technology 晶体管 - FET，MOSFET - 单 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 2V，5V   FET 类型 P 沟道  Microchip Technology FET 类型 P 沟道  晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 类型 P 沟道  Microchip Technology 晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 类型 P 沟道   电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 700mA（Tj）  Microchip Technology 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 700mA（Tj）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 700mA（Tj）  Microchip Technology 晶体管 - FET，MOSFET - 单 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 700mA（Tj）   不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 250pF @ 15V  Microchip Technology 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 250pF @ 15V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 250pF @ 15V  Microchip Technology 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 250pF @ 15V   FET 功能 -  Microchip Technology FET 功能 -  晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 功能 -  Microchip Technology 晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 功能 -   不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 1mA  Microchip Technology 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 1mA  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 1mA  Microchip Technology 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 1mA   功率耗散（最大值） 1.5W（Tc）  Microchip Technology 功率耗散（最大值） 1.5W（Tc）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 功率耗散（最大值） 1.5W（Tc）  Microchip Technology 晶体管 - FET，MOSFET - 单 功率耗散（最大值） 1.5W（Tc）   漏源电压（Vdss） 16.5V  Microchip Technology 漏源电压（Vdss） 16.5V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 漏源电压（Vdss） 16.5V  Microchip Technology 晶体管 - FET，MOSFET - 单 漏源电压（Vdss） 16.5V