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产品规格

封装/外壳	8-PowerTDFN
制造商	Microchip Technology
安装类型	表面贴装
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
系列	-
包装	剪切带（CT）
零件状态	在售
供应商器件封装	8-PDFN（5x6）
技术	MOSFET（金属氧化物）
Vgs（最大值）	+10V，-8V
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）	37nC @ 4.5V
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）	1.9 毫欧 @ 25A，10V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	3.3V，10V
FET 类型	N 沟道
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	100A（Tc）
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	2925pF @ 12.5V
FET 功能	-
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	1.6V @ 250μA
功率耗散（最大值）	2.2W（Ta）
漏源电压（Vdss）	25V
关键词

产品资料

数据列表	MCP87018
设计资源	MCP87018 Development Tool Selector
标准包装	1
其它名称	MCP87018T-U/MFCT

封装/外壳 8-PowerTDFN  Microchip Technology 封装/外壳 8-PowerTDFN  晶体管 - FET，MOSFET - 单 封装/外壳 8-PowerTDFN  Microchip Technology 晶体管 - FET，MOSFET - 单 封装/外壳 8-PowerTDFN   制造商 Microchip Technology  Microchip Technology 制造商 Microchip Technology  晶体管 - FET，MOSFET - 单 制造商 Microchip Technology  Microchip Technology 晶体管 - FET，MOSFET - 单 制造商 Microchip Technology   安装类型 表面贴装  Microchip Technology 安装类型 表面贴装  晶体管 - FET，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装  Microchip Technology 晶体管 - FET，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装   工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Microchip Technology 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Microchip Technology 晶体管 - FET，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）   系列 -  Microchip Technology 系列 -  晶体管 - FET，MOSFET - 单 系列 -  Microchip Technology 晶体管 - FET，MOSFET - 单 系列 -   包装 剪切带（CT）   Microchip Technology 包装 剪切带（CT）   晶体管 - FET，MOSFET - 单 包装 剪切带（CT）   Microchip Technology 晶体管 - FET，MOSFET - 单 包装 剪切带（CT）    零件状态 在售  Microchip Technology 零件状态 在售  晶体管 - FET，MOSFET - 单 零件状态 在售  Microchip Technology 晶体管 - FET，MOSFET - 单 零件状态 在售   供应商器件封装 8-PDFN（5x6）  Microchip Technology 供应商器件封装 8-PDFN（5x6）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 供应商器件封装 8-PDFN（5x6）  Microchip Technology 晶体管 - FET，MOSFET - 单 供应商器件封装 8-PDFN（5x6）   技术 MOSFET（金属氧化物）  Microchip Technology 技术 MOSFET（金属氧化物）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 技术 MOSFET（金属氧化物）  Microchip Technology 晶体管 - FET，MOSFET - 单 技术 MOSFET（金属氧化物）   Vgs（最大值） +10V，-8V  Microchip Technology Vgs（最大值） +10V，-8V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 Vgs（最大值） +10V，-8V  Microchip Technology 晶体管 - FET，MOSFET - 单 Vgs（最大值） +10V，-8V   不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 37nC @ 4.5V  Microchip Technology 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 37nC @ 4.5V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 37nC @ 4.5V  Microchip Technology 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 37nC @ 4.5V   不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 1.9 毫欧 @ 25A，10V  Microchip Technology 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 1.9 毫欧 @ 25A，10V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 1.9 毫欧 @ 25A，10V  Microchip Technology 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 1.9 毫欧 @ 25A，10V   驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 3.3V，10V  Microchip Technology 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 3.3V，10V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 3.3V，10V  Microchip Technology 晶体管 - FET，MOSFET - 单 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 3.3V，10V   FET 类型 N 沟道  Microchip Technology FET 类型 N 沟道  晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道  Microchip Technology 晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道   电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）  Microchip Technology 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）  Microchip Technology 晶体管 - FET，MOSFET - 单 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）   不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2925pF @ 12.5V  Microchip Technology 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2925pF @ 12.5V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2925pF @ 12.5V  Microchip Technology 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2925pF @ 12.5V   FET 功能 -  Microchip Technology FET 功能 -  晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 功能 -  Microchip Technology 晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 功能 -   不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.6V @ 250μA  Microchip Technology 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.6V @ 250μA  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.6V @ 250μA  Microchip Technology 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.6V @ 250μA   功率耗散（最大值） 2.2W（Ta）  Microchip Technology 功率耗散（最大值） 2.2W（Ta）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 功率耗散（最大值） 2.2W（Ta）  Microchip Technology 晶体管 - FET，MOSFET - 单 功率耗散（最大值） 2.2W（Ta）   漏源电压（Vdss） 25V  Microchip Technology 漏源电压（Vdss） 25V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 漏源电压（Vdss） 25V  Microchip Technology 晶体管 - FET，MOSFET - 单 漏源电压（Vdss） 25V