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产品规格

封装/外壳	TO-253-4，TO-253AA
制造商	Microchip Technology
安装类型	表面贴装
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
系列	TinyFET?
包装	剪切带（CT）
零件状态	在售
供应商器件封装	SOT-143
技术	MOSFET（金属氧化物）
Vgs（最大值）	16V
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）	-
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）	450 毫欧 @ 100mA，10V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	2.7V，10V
FET 类型	P 沟道
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	1A（Ta）
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	100pF @ 12V
FET 功能	-
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	1.4V @ 250μA
功率耗散（最大值）	568mW（Ta）
漏源电压（Vdss）	16V
关键词

产品资料

数据列表	MIC94030, MIC94031
设计资源	MIC94030 Development Tool Selector
PCN 零件编号	Micrel to Microchip PN Changes 7/Oct/2015
标准包装	1
其它名称	576-2936-1

封装/外壳 TO-253-4，TO-253AA  Microchip Technology 封装/外壳 TO-253-4，TO-253AA  晶体管 - FET，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-253-4，TO-253AA  Microchip Technology 晶体管 - FET，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-253-4，TO-253AA   制造商 Microchip Technology  Microchip Technology 制造商 Microchip Technology  晶体管 - FET，MOSFET - 单 制造商 Microchip Technology  Microchip Technology 晶体管 - FET，MOSFET - 单 制造商 Microchip Technology   安装类型 表面贴装  Microchip Technology 安装类型 表面贴装  晶体管 - FET，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装  Microchip Technology 晶体管 - FET，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装   工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Microchip Technology 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Microchip Technology 晶体管 - FET，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）   系列 TinyFET?  Microchip Technology 系列 TinyFET?  晶体管 - FET，MOSFET - 单 系列 TinyFET?  Microchip Technology 晶体管 - FET，MOSFET - 单 系列 TinyFET?   包装 剪切带（CT）   Microchip Technology 包装 剪切带（CT）   晶体管 - FET，MOSFET - 单 包装 剪切带（CT）   Microchip Technology 晶体管 - FET，MOSFET - 单 包装 剪切带（CT）    零件状态 在售  Microchip Technology 零件状态 在售  晶体管 - FET，MOSFET - 单 零件状态 在售  Microchip Technology 晶体管 - FET，MOSFET - 单 零件状态 在售   供应商器件封装 SOT-143  Microchip Technology 供应商器件封装 SOT-143  晶体管 - FET，MOSFET - 单 供应商器件封装 SOT-143  Microchip Technology 晶体管 - FET，MOSFET - 单 供应商器件封装 SOT-143   技术 MOSFET（金属氧化物）  Microchip Technology 技术 MOSFET（金属氧化物）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 技术 MOSFET（金属氧化物）  Microchip Technology 晶体管 - FET，MOSFET - 单 技术 MOSFET（金属氧化物）   Vgs（最大值） 16V  Microchip Technology Vgs（最大值） 16V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 Vgs（最大值） 16V  Microchip Technology 晶体管 - FET，MOSFET - 单 Vgs（最大值） 16V   不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -  Microchip Technology 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -  Microchip Technology 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -   不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 450 毫欧 @ 100mA，10V  Microchip Technology 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 450 毫欧 @ 100mA，10V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 450 毫欧 @ 100mA，10V  Microchip Technology 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 450 毫欧 @ 100mA，10V   驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.7V，10V  Microchip Technology 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.7V，10V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.7V，10V  Microchip Technology 晶体管 - FET，MOSFET - 单 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.7V，10V   FET 类型 P 沟道  Microchip Technology FET 类型 P 沟道  晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 类型 P 沟道  Microchip Technology 晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 类型 P 沟道   电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1A（Ta）  Microchip Technology 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1A（Ta）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1A（Ta）  Microchip Technology 晶体管 - FET，MOSFET - 单 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1A（Ta）   不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 100pF @ 12V  Microchip Technology 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 100pF @ 12V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 100pF @ 12V  Microchip Technology 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 100pF @ 12V   FET 功能 -  Microchip Technology FET 功能 -  晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 功能 -  Microchip Technology 晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 功能 -   不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.4V @ 250μA  Microchip Technology 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.4V @ 250μA  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.4V @ 250μA  Microchip Technology 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.4V @ 250μA   功率耗散（最大值） 568mW（Ta）  Microchip Technology 功率耗散（最大值） 568mW（Ta）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 功率耗散（最大值） 568mW（Ta）  Microchip Technology 晶体管 - FET，MOSFET - 单 功率耗散（最大值） 568mW（Ta）   漏源电压（Vdss） 16V  Microchip Technology 漏源电压（Vdss） 16V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 漏源电压（Vdss） 16V  Microchip Technology 晶体管 - FET，MOSFET - 单 漏源电压（Vdss） 16V