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产品规格

封装/外壳	TO-253-4，TO-253AA
制造商	Microchip Technology
安装类型	表面贴装
工作温度	-40°C ~ 150°C（TJ）
系列	SymFET??
包装	带卷（TR）
零件状态	过期
供应商器件封装	SOT-143
技术	MOSFET（金属氧化物）
Vgs（最大值）	6V
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）	-
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）	160 毫欧 @ 100mA，4.5V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	1.8V，4.5V
FET 类型	P 沟道
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	1.8A（Ta）
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	600pF @ 5.5V
FET 功能	-
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	1.2V @ 250μA
功率耗散（最大值）	568mW（Ta）
漏源电压（Vdss）	6V
关键词

产品资料

数据列表	MIC 94050, 51 Datasheet
设计资源	MIC94050 Development Tool Selector
标准包装	3,000
其它名称	MIC94050BM4TR MIC94050BM4TR-ND

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• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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• 操作

封装/外壳 TO-253-4，TO-253AA  Microchip Technology 封装/外壳 TO-253-4，TO-253AA  晶体管 - FET，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-253-4，TO-253AA  Microchip Technology 晶体管 - FET，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-253-4，TO-253AA   制造商 Microchip Technology  Microchip Technology 制造商 Microchip Technology  晶体管 - FET，MOSFET - 单 制造商 Microchip Technology  Microchip Technology 晶体管 - FET，MOSFET - 单 制造商 Microchip Technology   安装类型 表面贴装  Microchip Technology 安装类型 表面贴装  晶体管 - FET，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装  Microchip Technology 晶体管 - FET，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装   工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）  Microchip Technology 工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）  Microchip Technology 晶体管 - FET，MOSFET - 单 工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）   系列 SymFET??  Microchip Technology 系列 SymFET??  晶体管 - FET，MOSFET - 单 系列 SymFET??  Microchip Technology 晶体管 - FET，MOSFET - 单 系列 SymFET??   包装 带卷（TR）   Microchip Technology 包装 带卷（TR）   晶体管 - FET，MOSFET - 单 包装 带卷（TR）   Microchip Technology 晶体管 - FET，MOSFET - 单 包装 带卷（TR）    零件状态 过期  Microchip Technology 零件状态 过期  晶体管 - FET，MOSFET - 单 零件状态 过期  Microchip Technology 晶体管 - FET，MOSFET - 单 零件状态 过期   供应商器件封装 SOT-143  Microchip Technology 供应商器件封装 SOT-143  晶体管 - FET，MOSFET - 单 供应商器件封装 SOT-143  Microchip Technology 晶体管 - FET，MOSFET - 单 供应商器件封装 SOT-143   技术 MOSFET（金属氧化物）  Microchip Technology 技术 MOSFET（金属氧化物）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 技术 MOSFET（金属氧化物）  Microchip Technology 晶体管 - FET，MOSFET - 单 技术 MOSFET（金属氧化物）   Vgs（最大值） 6V  Microchip Technology Vgs（最大值） 6V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 Vgs（最大值） 6V  Microchip Technology 晶体管 - FET，MOSFET - 单 Vgs（最大值） 6V   不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -  Microchip Technology 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -  Microchip Technology 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -   不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 160 毫欧 @ 100mA，4.5V  Microchip Technology 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 160 毫欧 @ 100mA，4.5V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 160 毫欧 @ 100mA，4.5V  Microchip Technology 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 160 毫欧 @ 100mA，4.5V   驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 1.8V，4.5V  Microchip Technology 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 1.8V，4.5V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 1.8V，4.5V  Microchip Technology 晶体管 - FET，MOSFET - 单 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 1.8V，4.5V   FET 类型 P 沟道  Microchip Technology FET 类型 P 沟道  晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 类型 P 沟道  Microchip Technology 晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 类型 P 沟道   电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1.8A（Ta）  Microchip Technology 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1.8A（Ta）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1.8A（Ta）  Microchip Technology 晶体管 - FET，MOSFET - 单 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1.8A（Ta）   不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 600pF @ 5.5V  Microchip Technology 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 600pF @ 5.5V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 600pF @ 5.5V  Microchip Technology 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 600pF @ 5.5V   FET 功能 -  Microchip Technology FET 功能 -  晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 功能 -  Microchip Technology 晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 功能 -   不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.2V @ 250μA  Microchip Technology 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.2V @ 250μA  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.2V @ 250μA  Microchip Technology 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.2V @ 250μA   功率耗散（最大值） 568mW（Ta）  Microchip Technology 功率耗散（最大值） 568mW（Ta）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 功率耗散（最大值） 568mW（Ta）  Microchip Technology 晶体管 - FET，MOSFET - 单 功率耗散（最大值） 568mW（Ta）   漏源电压（Vdss） 6V  Microchip Technology 漏源电压（Vdss） 6V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 漏源电压（Vdss） 6V  Microchip Technology 晶体管 - FET，MOSFET - 单 漏源电压（Vdss） 6V