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产品规格

封装/外壳	8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
制造商	Microchip Technology
安装类型	表面贴装
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
系列	-
包装	带卷（TR）
零件状态	在售
供应商器件封装	8-SOIC
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）	-
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）	7 欧姆 @ 1A，10V
FET 类型	N 和 P 沟道
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	-
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	110pF @ 25V
FET 功能	标准
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	2V @ 1mA
漏源电压（Vdss）	200V
功率 - 最大值	-
关键词

产品资料

数据列表	TC2320
设计资源	TC2320 Development Tool Selector
PCN 组件/产地	Additional Fabrication Site 03/Sep/2014 Additional Fabrication Site 03/Sep/2014 Assembly Site Addition 17/Feb/2015 Fab Site Addition 14/Aug/2014
标准包装	3,300

封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）  Microchip Technology 封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）  Microchip Technology 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）   制造商 Microchip Technology  Microchip Technology 制造商 Microchip Technology  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 制造商 Microchip Technology  Microchip Technology 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 制造商 Microchip Technology   安装类型 表面贴装  Microchip Technology 安装类型 表面贴装  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装  Microchip Technology 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装   工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Microchip Technology 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Microchip Technology 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）   系列 -  Microchip Technology 系列 -  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 系列 -  Microchip Technology 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 系列 -   包装 带卷（TR）   Microchip Technology 包装 带卷（TR）   晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 包装 带卷（TR）   Microchip Technology 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 包装 带卷（TR）    零件状态 在售  Microchip Technology 零件状态 在售  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 零件状态 在售  Microchip Technology 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 零件状态 在售   供应商器件封装 8-SOIC  Microchip Technology 供应商器件封装 8-SOIC  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 供应商器件封装 8-SOIC  Microchip Technology 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 供应商器件封装 8-SOIC   不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -  Microchip Technology 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -  Microchip Technology 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -   不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 7 欧姆 @ 1A，10V  Microchip Technology 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 7 欧姆 @ 1A，10V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 7 欧姆 @ 1A，10V  Microchip Technology 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 7 欧姆 @ 1A，10V   FET 类型 N 和 P 沟道  Microchip Technology FET 类型 N 和 P 沟道  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 类型 N 和 P 沟道  Microchip Technology 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 类型 N 和 P 沟道   电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） -  Microchip Technology 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） -  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） -  Microchip Technology 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） -   不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 110pF @ 25V  Microchip Technology 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 110pF @ 25V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 110pF @ 25V  Microchip Technology 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 110pF @ 25V   FET 功能 标准  Microchip Technology FET 功能 标准  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 功能 标准  Microchip Technology 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 功能 标准   不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 1mA  Microchip Technology 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 1mA  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 1mA  Microchip Technology 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 1mA   漏源电压（Vdss） 200V  Microchip Technology 漏源电压（Vdss） 200V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 漏源电压（Vdss） 200V  Microchip Technology 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 漏源电压（Vdss） 200V   功率 - 最大值 -  Microchip Technology 功率 - 最大值 -  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 -  Microchip Technology 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 -