TC6320TG-G,Microchip Technology,分立半导体产品,晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
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TC6320TG-G - 

MOSFET N/P-CH 200V 8SOIC

Microchip Technology TC6320TG-G
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
TC6320TG-G
仓库库存编号：
TC6320TG-GCT-ND
描述：
MOSFET N/P-CH 200V 8SOIC
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
Mosfet Array N and P-Channel 200V Surface Mount 8-SOIC
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！

TC6320TG-G产品属性


产品规格
  封装/外壳  8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）  
  制造商  Microchip Technology  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -55°C ~ 150°C（TJ）  
  系列  -  
  包装  剪切带（CT）   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  8-SOIC  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）  -  
  不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）  7 欧姆 @ 1A，10V  
  FET 类型  N 和 P 沟道  
  电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）  -  
  不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）  110pF @ 25V  
  FET 功能  标准  
  不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）  2V @ 1mA  
  漏源电压（Vdss）  200V  
  功率 - 最大值  -  
关键词         

产品资料
数据列表 TC6320
设计资源 TC6320 Development Tool Selector
PCN 组件/产地 Qualification Supertex Devices 22/Jul/2014
Additional Fabrication Site 03/Sep/2014
Assembly Site Addition 17/Feb/2015
Fab Site Addition 14/Aug/2014
Assembly Site Addition 08/Apr/2015
Assembly Site Addition 08/Apr/2015
标准包装 1
其它名称 TC6320TG-GCT

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