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产品规格

封装/外壳	8-VDFN 裸露焊盘
制造商	Microchip Technology
安装类型	表面贴装
工作温度	-55°C ~ 175°C
系列	-
包装	剪切带（CT）
零件状态	在售
供应商器件封装	8-VDFN（6x5）
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）	-
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）	7 欧姆 @ 1A，10V，8 欧姆 @ 1A，10V
FET 类型	N 和 P 沟道
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	2A（Ta）
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	110pF @ 25V，200pF @ 25V
FET 功能	逻辑电平门
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	2V @ 1mA，2.4V @ 1mA
漏源电压（Vdss）	200V
功率 - 最大值	-
关键词

产品资料

数据列表	TC6321
标准包装	1
其它名称	TC6321T-V/9UCT

封装/外壳 8-VDFN 裸露焊盘  Microchip Technology 封装/外壳 8-VDFN 裸露焊盘  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 封装/外壳 8-VDFN 裸露焊盘  Microchip Technology 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 封装/外壳 8-VDFN 裸露焊盘   制造商 Microchip Technology  Microchip Technology 制造商 Microchip Technology  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 制造商 Microchip Technology  Microchip Technology 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 制造商 Microchip Technology   安装类型 表面贴装  Microchip Technology 安装类型 表面贴装  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装  Microchip Technology 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装   工作温度 -55°C ~ 175°C  Microchip Technology 工作温度 -55°C ~ 175°C  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 工作温度 -55°C ~ 175°C  Microchip Technology 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 工作温度 -55°C ~ 175°C   系列 -  Microchip Technology 系列 -  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 系列 -  Microchip Technology 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 系列 -   包装 剪切带（CT）   Microchip Technology 包装 剪切带（CT）   晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 包装 剪切带（CT）   Microchip Technology 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 包装 剪切带（CT）    零件状态 在售  Microchip Technology 零件状态 在售  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 零件状态 在售  Microchip Technology 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 零件状态 在售   供应商器件封装 8-VDFN（6x5）  Microchip Technology 供应商器件封装 8-VDFN（6x5）  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 供应商器件封装 8-VDFN（6x5）  Microchip Technology 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 供应商器件封装 8-VDFN（6x5）   不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -  Microchip Technology 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -  Microchip Technology 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -   不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 7 欧姆 @ 1A，10V，8 欧姆 @ 1A，10V  Microchip Technology 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 7 欧姆 @ 1A，10V，8 欧姆 @ 1A，10V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 7 欧姆 @ 1A，10V，8 欧姆 @ 1A，10V  Microchip Technology 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 7 欧姆 @ 1A，10V，8 欧姆 @ 1A，10V   FET 类型 N 和 P 沟道  Microchip Technology FET 类型 N 和 P 沟道  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 类型 N 和 P 沟道  Microchip Technology 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 类型 N 和 P 沟道   电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2A（Ta）  Microchip Technology 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2A（Ta）  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2A（Ta）  Microchip Technology 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2A（Ta）   不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 110pF @ 25V，200pF @ 25V  Microchip Technology 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 110pF @ 25V，200pF @ 25V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 110pF @ 25V，200pF @ 25V  Microchip Technology 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 110pF @ 25V，200pF @ 25V   FET 功能 逻辑电平门  Microchip Technology FET 功能 逻辑电平门  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 功能 逻辑电平门  Microchip Technology 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 功能 逻辑电平门   不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 1mA，2.4V @ 1mA  Microchip Technology 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 1mA，2.4V @ 1mA  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 1mA，2.4V @ 1mA  Microchip Technology 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 1mA，2.4V @ 1mA   漏源电压（Vdss） 200V  Microchip Technology 漏源电压（Vdss） 200V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 漏源电压（Vdss） 200V  Microchip Technology 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 漏源电压（Vdss） 200V   功率 - 最大值 -  Microchip Technology 功率 - 最大值 -  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 -  Microchip Technology 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 -