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TN0104N8-G
TN0104N8-G -
MOSFET N-CH 40V 0.63A TO243AA
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Microchip Technology
Microchip Technology
制造商产品编号:
TN0104N8-G
仓库库存编号:
TN0104N8-GCT-ND
描述:
MOSFET N-CH 40V 0.63A TO243AA
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
表面贴装 N 沟道 630mA(Tj) 1.6W(Tc) TO-243AA(SOT-89)
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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TN0104N8-G产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-243AA
制造商
Microchip Technology
安装类型
表面贴装
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
系列
-
包装
剪切带(CT)
零件状态
在售
供应商器件封装
TO-243AA(SOT-89)
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
-
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
2 欧姆 @ 1A,10V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
3V,10V
FET 类型
N 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
630mA(Tj)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
70pF @ 20V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
1.6V @ 500μA
功率耗散(最大值)
1.6W(Tc)
漏源电压(Vdss)
40V
关键词
产品资料
数据列表
TN0104
设计资源
TN0104 Development Tool Selector
PCN 设计/规格
Die Attach Material Update 26/Aug/2015
PCN 组件/产地
Additional Fabrication Site 03/Sep/2014
Fab Site Addition 14/Aug/2014
Die Material/Assembly Site 29/Jul/2015
标准包装
1
其它名称
TN0104N8-GCT
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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操作
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型号:
NTR1P02T1G
仓库库存编号:
NTR1P02T1GOSCT-ND
别名:NTR1P02T1GOS
NTR1P02T1GOS-ND
NTR1P02T1GOSCT
无铅
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Microchip Technology
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型号:
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仓库库存编号:
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别名:TP0610T-GCT
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