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产品规格

封装/外壳	TO-243AA
制造商	Microchip Technology
安装类型	表面贴装
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
系列	-
包装	带卷（TR）
零件状态	在售
供应商器件封装	SOT-89-3
技术	MOSFET（金属氧化物）
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）	-
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）	3.5 欧姆 @ 500mA，10V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	3V，10V
FET 类型	N 沟道
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	480mA（Tj）
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	200pF @ 25V
FET 功能	-
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	2.5V @ 1mA
功率耗散（最大值）	1.6W（Tc）
漏源电压（Vdss）	25V
关键词

产品资料

数据列表	TN2425
设计资源	TN2425 Development Tool Selector
PCN 设计/规格	Die Attach Material Update 26/Aug/2015
PCN 组件/产地	Additional Fabrication Site 03/Sep/2014 Fab Site Addition 14/Aug/2014 Die Material/Assembly Site 29/Jul/2015
标准包装	2,000

封装/外壳 TO-243AA  Microchip Technology 封装/外壳 TO-243AA  晶体管 - FET，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-243AA  Microchip Technology 晶体管 - FET，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-243AA   制造商 Microchip Technology  Microchip Technology 制造商 Microchip Technology  晶体管 - FET，MOSFET - 单 制造商 Microchip Technology  Microchip Technology 晶体管 - FET，MOSFET - 单 制造商 Microchip Technology   安装类型 表面贴装  Microchip Technology 安装类型 表面贴装  晶体管 - FET，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装  Microchip Technology 晶体管 - FET，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装   工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Microchip Technology 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Microchip Technology 晶体管 - FET，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）   系列 -  Microchip Technology 系列 -  晶体管 - FET，MOSFET - 单 系列 -  Microchip Technology 晶体管 - FET，MOSFET - 单 系列 -   包装 带卷（TR）   Microchip Technology 包装 带卷（TR）   晶体管 - FET，MOSFET - 单 包装 带卷（TR）   Microchip Technology 晶体管 - FET，MOSFET - 单 包装 带卷（TR）    零件状态 在售  Microchip Technology 零件状态 在售  晶体管 - FET，MOSFET - 单 零件状态 在售  Microchip Technology 晶体管 - FET，MOSFET - 单 零件状态 在售   供应商器件封装 SOT-89-3  Microchip Technology 供应商器件封装 SOT-89-3  晶体管 - FET，MOSFET - 单 供应商器件封装 SOT-89-3  Microchip Technology 晶体管 - FET，MOSFET - 单 供应商器件封装 SOT-89-3   技术 MOSFET（金属氧化物）  Microchip Technology 技术 MOSFET（金属氧化物）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 技术 MOSFET（金属氧化物）  Microchip Technology 晶体管 - FET，MOSFET - 单 技术 MOSFET（金属氧化物）   Vgs（最大值） ±20V  Microchip Technology Vgs（最大值） ±20V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 Vgs（最大值） ±20V  Microchip Technology 晶体管 - FET，MOSFET - 单 Vgs（最大值） ±20V   不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -  Microchip Technology 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -  Microchip Technology 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -   不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 3.5 欧姆 @ 500mA，10V  Microchip Technology 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 3.5 欧姆 @ 500mA，10V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 3.5 欧姆 @ 500mA，10V  Microchip Technology 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 3.5 欧姆 @ 500mA，10V   驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 3V，10V  Microchip Technology 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 3V，10V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 3V，10V  Microchip Technology 晶体管 - FET，MOSFET - 单 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 3V，10V   FET 类型 N 沟道  Microchip Technology FET 类型 N 沟道  晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道  Microchip Technology 晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道   电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 480mA（Tj）  Microchip Technology 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 480mA（Tj）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 480mA（Tj）  Microchip Technology 晶体管 - FET，MOSFET - 单 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 480mA（Tj）   不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 200pF @ 25V  Microchip Technology 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 200pF @ 25V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 200pF @ 25V  Microchip Technology 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 200pF @ 25V   FET 功能 -  Microchip Technology FET 功能 -  晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 功能 -  Microchip Technology 晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 功能 -   不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 1mA  Microchip Technology 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 1mA  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 1mA  Microchip Technology 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 1mA   功率耗散（最大值） 1.6W（Tc）  Microchip Technology 功率耗散（最大值） 1.6W（Tc）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 功率耗散（最大值） 1.6W（Tc）  Microchip Technology 晶体管 - FET，MOSFET - 单 功率耗散（最大值） 1.6W（Tc）   漏源电压（Vdss） 25V  Microchip Technology 漏源电压（Vdss） 25V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 漏源电压（Vdss） 25V  Microchip Technology 晶体管 - FET，MOSFET - 单 漏源电压（Vdss） 25V