TP5335K1-G,Microchip Technology,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 单
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TP5335K1-G
TP5335K1-G -
MOSFET P-CH 350V 0.085A SOT23-3
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Microchip Technology
Microchip Technology
制造商产品编号:
TP5335K1-G
仓库库存编号:
TP5335K1-GCT-ND
描述:
MOSFET P-CH 350V 0.085A SOT23-3
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
表面贴装 P 沟道 85mA(Tj) 360mW(Ta) TO-236AB(SOT23)
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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TP5335K1-G产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
制造商
Microchip Technology
安装类型
表面贴装
工作温度
-55°C ~ 150°C
系列
-
包装
剪切带(CT)
零件状态
在售
供应商器件封装
TO-236AB(SOT23)
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
-
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
30 欧姆 @ 200mA,10V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
FET 类型
P 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
85mA(Tj)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
110pF @ 25V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
2.4V @ 1mA
功率耗散(最大值)
360mW(Ta)
漏源电压(Vdss)
350V
关键词
产品资料
数据列表
TP5335
设计资源
TP5335 Development Tool Selector
PCN 设计/规格
Die Attach Material Update 22/Jun/2015
PCN 组件/产地
Qualification Supertex Devices 22/Jul/2014
Additional Fabrication Site 03/Sep/2014
Qualification Report Revision 29/Jan/2015
Fab Site Addition 14/Aug/2014
标准包装
1
其它名称
TP5335K1-GCT
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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操作
Diodes Incorporated
TRANS NPN 400V 0.225A SOT23-3
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor NPN 400V 225mA 50MHz 500mW Surface Mount SOT-23-3
型号:
FMMT458TA
仓库库存编号:
FMMT458CT-ND
别名:FMMT458
FMMT458CT
无铅
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制造商 Microchip Technology
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不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.4V @ 1mA
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功率耗散(最大值) 360mW(Ta)
Microchip Technology 功率耗散(最大值) 360mW(Ta)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 360mW(Ta)
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漏源电压(Vdss) 350V
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 350V
Microchip Technology 晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 350V
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