VP0104N3-G,Microchip Technology,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 单
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VP0104N3-G
VP0104N3-G -
MOSFET P-CH 40V 0.25A TO92-3
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Microchip Technology
Microchip Technology
制造商产品编号:
VP0104N3-G
仓库库存编号:
VP0104N3-G-ND
描述:
MOSFET P-CH 40V 0.25A TO92-3
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
通孔 P 沟道 250mA(Tj) 1W(Tc) TO-92-3
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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VP0104N3-G产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)
制造商
Microchip Technology
安装类型
通孔
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
系列
-
包装
散装
零件状态
在售
供应商器件封装
TO-92-3
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
-
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
8 欧姆 @ 500mA,10V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
5V,10V
FET 类型
P 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
250mA(Tj)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
60pF @ 25V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
3.5V @ 1mA
功率耗散(最大值)
1W(Tc)
漏源电压(Vdss)
40V
关键词
产品资料
数据列表
VP0104
设计资源
VP0104 Development Tool Selector
PCN 封装
Label and Packing Changes 23/Sep/2015
标准包装
1,000
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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操作
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详细描述:通孔 P 沟道 160mA(Ta) 625mW(Ta) TO-92-3
型号:
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仓库库存编号:
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无铅
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详细描述:通孔 N 沟道 350mA(Tj) 1W(Tc) TO-92-3
型号:
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仓库库存编号:
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详细描述:通孔 P 沟道 250mA(Tj) 1W(Tc) TO-92-3
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