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VP2206N2 - 

MOSFET P-CH 60V 750MA 3TO-39

Microchip Technology VP2206N2
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
VP2206N2
仓库库存编号：
VP2206N2-ND
描述：
MOSFET P-CH 60V 750MA 3TO-39
ROHS：
含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
通孔 P 沟道 750mA（Tj） 360mW（Tc） TO-39
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！

VP2206N2产品属性


产品规格
  封装/外壳  TO-205AD，TO-39-3 金属罐  
  制造商  Microchip Technology  
  安装类型  通孔  
  工作温度  -55°C ~ 150°C（TJ）  
  系列  -  
  包装  散装   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  TO-39  
  技术  MOSFET（金属氧化物）  
  Vgs（最大值）  ±20V  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）  -  
  不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）  900 毫欧 @ 3.5A，10V  
  驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）  5V，10V  
  FET 类型  P 沟道  
  电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）  750mA（Tj）  
  不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）  450pF @ 25V  
  FET 功能  -  
  不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）  3.5V @ 10mA  
  功率耗散（最大值）  360mW（Tc）  
  漏源电压（Vdss）  60V  
关键词         

产品资料
数据列表 VP2206
设计资源 VP2206 Development Tool Selector
PCN 组件/产地 3L TO-39 Qualification Assembly Site Update 22/Aug/2014
Additional Fabrication Site 03/Sep/2014
Fab Site Addition 14/Aug/2014
PCN 封装 Label and Packing Changes 23/Sep/2015
标准包装 500

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