VP2206N3-G,Microchip Technology,分立半导体产品,晶体管 - FET，MOSFET - 单
st代理商
专业代理销售st（意法）全系列产品
库存查询
在本站结果里搜索：    
热门搜索词：电容器   Vicor   MXP7205VW   STM32F103C8T6   1379658-1   UVX  

VP2206N3-G - 

MOSFET P-CH 60V 640MA TO92-3

Microchip Technology VP2206N3-G
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
VP2206N3-G
仓库库存编号：
VP2206N3-G-ND
描述：
MOSFET P-CH 60V 640MA TO92-3
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
通孔 P 沟道 640mA（Tj） 740mW（Tc） TO-92-3
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！

VP2206N3-G产品属性


产品规格
  封装/外壳  TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）  
  制造商  Microchip Technology  
  安装类型  通孔  
  工作温度  -55°C ~ 150°C（TJ）  
  系列  -  
  包装  散装   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  TO-92-3  
  技术  MOSFET（金属氧化物）  
  Vgs（最大值）  ±20V  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）  -  
  不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）  900 毫欧 @ 3.5A，10V  
  驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）  5V，10V  
  FET 类型  P 沟道  
  电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）  640mA（Tj）  
  不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）  450pF @ 25V  
  FET 功能  -  
  不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）  3.5V @ 10mA  
  功率耗散（最大值）  740mW（Tc）  
  漏源电压（Vdss）  60V  
关键词         

产品资料
数据列表 VP2206
设计资源 VP2206 Development Tool Selector
PCN 封装 Label and Packing Changes 23/Sep/2015
标准包装 1,000

VP2206N3-G您可能还对以下元器件感兴趣

  • 参考图片
  • 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
  • PDF
  • 操作

VP2206N3-G相关搜索

封装/外壳 TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）  Microchip Technology 封装/外壳 TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）  Microchip Technology 晶体管 - FET，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）   制造商 Microchip Technology  Microchip Technology 制造商 Microchip Technology  晶体管 - FET，MOSFET - 单 制造商 Microchip Technology  Microchip Technology 晶体管 - FET，MOSFET - 单 制造商 Microchip Technology   安装类型 通孔  Microchip Technology 安装类型 通孔  晶体管 - FET，MOSFET - 单 安装类型 通孔  Microchip Technology 晶体管 - FET，MOSFET - 单 安装类型 通孔   工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Microchip Technology 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Microchip Technology 晶体管 - FET，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）   系列 -  Microchip Technology 系列 -  晶体管 - FET，MOSFET - 单 系列 -  Microchip Technology 晶体管 - FET，MOSFET - 单 系列 -   包装 散装   Microchip Technology 包装 散装   晶体管 - FET，MOSFET - 单 包装 散装   Microchip Technology 晶体管 - FET，MOSFET - 单 包装 散装    零件状态 在售  Microchip Technology 零件状态 在售  晶体管 - FET，MOSFET - 单 零件状态 在售  Microchip Technology 晶体管 - FET，MOSFET - 单 零件状态 在售   供应商器件封装 TO-92-3  Microchip Technology 供应商器件封装 TO-92-3  晶体管 - FET，MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-92-3  Microchip Technology 晶体管 - FET，MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-92-3   技术 MOSFET（金属氧化物）  Microchip Technology 技术 MOSFET（金属氧化物）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 技术 MOSFET（金属氧化物）  Microchip Technology 晶体管 - FET，MOSFET - 单 技术 MOSFET（金属氧化物）   Vgs（最大值） ±20V  Microchip Technology Vgs（最大值） ±20V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 Vgs（最大值） ±20V  Microchip Technology 晶体管 - FET，MOSFET - 单 Vgs（最大值） ±20V   不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -  Microchip Technology 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -  Microchip Technology 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -   不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 900 毫欧 @ 3.5A，10V  Microchip Technology 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 900 毫欧 @ 3.5A，10V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 900 毫欧 @ 3.5A，10V  Microchip Technology 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 900 毫欧 @ 3.5A，10V   驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 5V，10V  Microchip Technology 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 5V，10V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 5V，10V  Microchip Technology 晶体管 - FET，MOSFET - 单 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 5V，10V   FET 类型 P 沟道  Microchip Technology FET 类型 P 沟道  晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 类型 P 沟道  Microchip Technology 晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 类型 P 沟道   电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 640mA（Tj）  Microchip Technology 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 640mA（Tj）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 640mA（Tj）  Microchip Technology 晶体管 - FET，MOSFET - 单 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 640mA（Tj）   不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 450pF @ 25V  Microchip Technology 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 450pF @ 25V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 450pF @ 25V  Microchip Technology 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 450pF @ 25V   FET 功能 -  Microchip Technology FET 功能 -  晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 功能 -  Microchip Technology 晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 功能 -   不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 10mA  Microchip Technology 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 10mA  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 10mA  Microchip Technology 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 10mA   功率耗散（最大值） 740mW（Tc）  Microchip Technology 功率耗散（最大值） 740mW（Tc）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 功率耗散（最大值） 740mW（Tc）  Microchip Technology 晶体管 - FET，MOSFET - 单 功率耗散（最大值） 740mW（Tc）   漏源电压（Vdss） 60V  Microchip Technology 漏源电压（Vdss） 60V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 漏源电压（Vdss） 60V  Microchip Technology 晶体管 - FET，MOSFET - 单 漏源电压（Vdss） 60V  
电话:400-900-3095
QQ:800152669
st（意法）简介  |  st产品  |   st动态  |  产品应用  |  st选型手册
Copyright © 2017 www.st-ic.com All Rights Reserved. 技术支持：电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号