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JS28F00AM29EWH0 - 

IC FLASH 1GBIT 110NS 56TSOP

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Micron Technology Inc. JS28F00AM29EWH0
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制造商产品编号：
JS28F00AM29EWH0
仓库库存编号：
JS28F00AM29EWH0-ND
描述：
IC FLASH 1GBIT 110NS 56TSOP
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
3（168 小时）
详细描述：
FLASH - NOR 存储器 IC 1Gb （128M x 8，64M x 16） 并联 110ns 56-TSOP（14x20）
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型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
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JS28F00AM29EWH0
库存编号:JS28F00AM29EWH0-ND		 Micron Technology Inc IC FLASH 1GBIT PARALLEL 56TSOP0
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JS28F00AM29EWH0产品属性


产品规格
  封装/外壳  56-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽）  
  制造商  Micron Technology Inc.  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -40°C ~ 85°C（TA）  
  系列  -  
  包装  托盘   
  零件状态   已不再提供  
  电压 - 电源  2.7 V ~ 3.6 V  
  供应商器件封装  56-TSOP（14x20）  
  存储容量  1Gb （128M x 8，64M x 16）  
  技术  FLASH - NOR  
  存储器类型  非易失  
  访问时间  110ns  
  写周期时间 - 字，页  110ns  
  存储器格式  闪存  
  存储器接口  并联  
关键词         

产品资料
标准包装 96
其它名称 902240
902240-ND
JS28F00AM29EWH Q KW1

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封装/外壳 56-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽）  Micron Technology Inc. 封装/外壳 56-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽）  存储器 封装/外壳 56-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽）  Micron Technology Inc. 存储器 封装/外壳 56-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽）   制造商 Micron Technology Inc.  Micron Technology Inc. 制造商 Micron Technology Inc.  存储器 制造商 Micron Technology Inc.  Micron Technology Inc. 存储器 制造商 Micron Technology Inc.   安装类型 表面贴装  Micron Technology Inc. 安装类型 表面贴装  存储器 安装类型 表面贴装  Micron Technology Inc. 存储器 安装类型 表面贴装   工作温度 -40°C ~ 85°C（TA）  Micron Technology Inc. 工作温度 -40°C ~ 85°C（TA）  存储器 工作温度 -40°C ~ 85°C（TA）  Micron Technology Inc. 存储器 工作温度 -40°C ~ 85°C（TA）   系列 -  Micron Technology Inc. 系列 -  存储器 系列 -  Micron Technology Inc. 存储器 系列 -   包装 托盘   Micron Technology Inc. 包装 托盘   存储器 包装 托盘   Micron Technology Inc. 存储器 包装 托盘    零件状态  已不再提供  Micron Technology Inc. 零件状态  已不再提供  存储器 零件状态  已不再提供  Micron Technology Inc. 存储器 零件状态  已不再提供   电压 - 电源 2.7 V ~ 3.6 V  Micron Technology Inc. 电压 - 电源 2.7 V ~ 3.6 V  存储器 电压 - 电源 2.7 V ~ 3.6 V  Micron Technology Inc. 存储器 电压 - 电源 2.7 V ~ 3.6 V   供应商器件封装 56-TSOP（14x20）  Micron Technology Inc. 供应商器件封装 56-TSOP（14x20）  存储器 供应商器件封装 56-TSOP（14x20）  Micron Technology Inc. 存储器 供应商器件封装 56-TSOP（14x20）   存储容量 1Gb （128M x 8，64M x 16）  Micron Technology Inc. 存储容量 1Gb （128M x 8，64M x 16）  存储器 存储容量 1Gb （128M x 8，64M x 16）  Micron Technology Inc. 存储器 存储容量 1Gb （128M x 8，64M x 16）   技术 FLASH - NOR  Micron Technology Inc. 技术 FLASH - NOR  存储器 技术 FLASH - NOR  Micron Technology Inc. 存储器 技术 FLASH - NOR   存储器类型 非易失  Micron Technology Inc. 存储器类型 非易失  存储器 存储器类型 非易失  Micron Technology Inc. 存储器 存储器类型 非易失   访问时间 110ns  Micron Technology Inc. 访问时间 110ns  存储器 访问时间 110ns  Micron Technology Inc. 存储器 访问时间 110ns   写周期时间 - 字，页 110ns  Micron Technology Inc. 写周期时间 - 字，页 110ns  存储器 写周期时间 - 字，页 110ns  Micron Technology Inc. 存储器 写周期时间 - 字，页 110ns   存储器格式 闪存  Micron Technology Inc. 存储器格式 闪存  存储器 存储器格式 闪存  Micron Technology Inc. 存储器 存储器格式 闪存   存储器接口 并联  Micron Technology Inc. 存储器接口 并联  存储器 存储器接口 并联  Micron Technology Inc. 存储器 存储器接口 并联  
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JS28F00AM29EWH0
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IC FLASH 1G PARALLEL 56TSOP

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Micron Technology Inc. - JS28F00AM29EWH0 - IC FLASH 1GBIT 110NS 56TSOP		Micron Technology Inc.
IC FLASH 1GBIT 110NS 56TSOP
详细描述：FLASH - NOR 存储器 IC 1Gb （128M x 8，64M x 16） 并联 110ns 56-TSOP（14x20）

型号：JS28F00AM29EWH0
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JS28F00AM29EWH0|Numonyx - A Division of Micron Semiconductor Products, Inc.JS28F00AM29EWH0
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