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产品规格

封装/外壳	66-TSSOP（0.400"，10.16mm 宽）
制造商	Micron Technology Inc.
安装类型	表面贴装
工作温度	0°C ~ 70°C（TA）
系列	-
包装	带卷（TR）
零件状态	过期
电压 - 电源	2.3 V ~ 2.7 V
供应商器件封装	66-TSOP
存储容量	1Gb （256M x 4）
技术	SDRAM - DDR
时钟频率	167MHz
存储器类型	易失
访问时间	700ps
写周期时间 - 字，页	15ns
存储器格式	DRAM
存储器接口	并联
关键词

产品资料

数据列表	MT46V256M4, 128M8, 64M16
标准包装	1,000

封装/外壳 66-TSSOP（0.400"，10.16mm 宽）  Micron Technology Inc. 封装/外壳 66-TSSOP（0.400"，10.16mm 宽）  存储器 封装/外壳 66-TSSOP（0.400"，10.16mm 宽）  Micron Technology Inc. 存储器 封装/外壳 66-TSSOP（0.400"，10.16mm 宽）   制造商 Micron Technology Inc.  Micron Technology Inc. 制造商 Micron Technology Inc.  存储器 制造商 Micron Technology Inc.  Micron Technology Inc. 存储器 制造商 Micron Technology Inc.   安装类型 表面贴装  Micron Technology Inc. 安装类型 表面贴装  存储器 安装类型 表面贴装  Micron Technology Inc. 存储器 安装类型 表面贴装   工作温度 0°C ~ 70°C（TA）  Micron Technology Inc. 工作温度 0°C ~ 70°C（TA）  存储器 工作温度 0°C ~ 70°C（TA）  Micron Technology Inc. 存储器 工作温度 0°C ~ 70°C（TA）   系列 -  Micron Technology Inc. 系列 -  存储器 系列 -  Micron Technology Inc. 存储器 系列 -   包装 带卷（TR）   Micron Technology Inc. 包装 带卷（TR）   存储器 包装 带卷（TR）   Micron Technology Inc. 存储器 包装 带卷（TR）    零件状态 过期  Micron Technology Inc. 零件状态 过期  存储器 零件状态 过期  Micron Technology Inc. 存储器 零件状态 过期   电压 - 电源 2.3 V ~ 2.7 V  Micron Technology Inc. 电压 - 电源 2.3 V ~ 2.7 V  存储器 电压 - 电源 2.3 V ~ 2.7 V  Micron Technology Inc. 存储器 电压 - 电源 2.3 V ~ 2.7 V   供应商器件封装 66-TSOP  Micron Technology Inc. 供应商器件封装 66-TSOP  存储器 供应商器件封装 66-TSOP  Micron Technology Inc. 存储器 供应商器件封装 66-TSOP   存储容量 1Gb （256M x 4）  Micron Technology Inc. 存储容量 1Gb （256M x 4）  存储器 存储容量 1Gb （256M x 4）  Micron Technology Inc. 存储器 存储容量 1Gb （256M x 4）   技术 SDRAM - DDR  Micron Technology Inc. 技术 SDRAM - DDR  存储器 技术 SDRAM - DDR  Micron Technology Inc. 存储器 技术 SDRAM - DDR   时钟频率 167MHz  Micron Technology Inc. 时钟频率 167MHz  存储器 时钟频率 167MHz  Micron Technology Inc. 存储器 时钟频率 167MHz   存储器类型 易失  Micron Technology Inc. 存储器类型 易失  存储器 存储器类型 易失  Micron Technology Inc. 存储器 存储器类型 易失   访问时间 700ps  Micron Technology Inc. 访问时间 700ps  存储器 访问时间 700ps  Micron Technology Inc. 存储器 访问时间 700ps   写周期时间 - 字，页 15ns  Micron Technology Inc. 写周期时间 - 字，页 15ns  存储器 写周期时间 - 字，页 15ns  Micron Technology Inc. 存储器 写周期时间 - 字，页 15ns   存储器格式 DRAM  Micron Technology Inc. 存储器格式 DRAM  存储器 存储器格式 DRAM  Micron Technology Inc. 存储器 存储器格式 DRAM   存储器接口 并联  Micron Technology Inc. 存储器接口 并联  存储器 存储器接口 并联  Micron Technology Inc. 存储器 存储器接口 并联