MT47H64M16HR-3:E TR,Micron Technology Inc.,集成电路（IC）,存储器
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MT47H64M16HR-3:E TR - 

IC SDRAM 1GBIT 333MHZ 84FBGA

  • 不提供增值包装；备有另选包装。
Micron Technology Inc. MT47H64M16HR-3:E TR
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
MT47H64M16HR-3:E TR
仓库库存编号：
557-1341-1-ND
描述：
IC SDRAM 1GBIT 333MHZ 84FBGA
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
3（168 小时）
详细描述：
SDRAM - DDR2 存储器 IC 1Gb （64M x 16） 并联 333MHz 450ps 84-FBGA（8x12.5）
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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MT47H64M16HR-3:E TR产品属性


产品规格
  封装/外壳  84-TFBGA  
  制造商  Micron Technology Inc.  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  0°C ~ 85°C（TC）  
  系列  -  
  包装  剪切带（CT）   
  零件状态   已不再提供  
  电压 - 电源  1.7 V ~ 1.9 V  
  供应商器件封装  84-FBGA（8x12.5）  
  存储容量  1Gb （64M x 16）  
  技术  SDRAM - DDR2  
  时钟频率  333MHz  
  存储器类型  易失  
  访问时间  450ps  
  写周期时间 - 字，页  15ns  
  存储器格式  DRAM  
  存储器接口  并联  
关键词         

产品资料
标准包装 1
其它名称 557-1341-1
MT47H64M16HR3ETR

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