MT47H64M8SH-25E AAT:H TR,Micron Technology Inc.,集成电路(IC),存储器
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MT47H64M8SH-25E AAT:H TR - 

IC SDRAM 512MBIT 400MHZ 60FBGA

  • 非库存货
Micron Technology Inc. MT47H64M8SH-25E AAT:H TR
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
MT47H64M8SH-25E AAT:H TR
仓库库存编号:
MT47H64M8SH-25E AAT:H TR-ND
描述:
IC SDRAM 512MBIT 400MHZ 60FBGA
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
3(168 小时)
详细描述:
SDRAM - DDR2 存储器 IC 512Mb (64M x 8) 并联 400ps
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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MT47H64M8SH-25E AAT:H TR产品属性


产品规格
  制造商  Micron Technology Inc.  
  工作温度  -40°C ~ 105°C(TA)  
  系列  -  
  零件状态  在售  
  电压 - 电源  1.7 V ~ 1.9 V  
  存储容量  512Mb (64M x 8)  
  技术  SDRAM - DDR2  
  时钟频率  400MHz  
  存储器类型  易失  
  访问时间  400ps  
  写周期时间 - 字,页  15ns  
  存储器格式  DRAM  
  存储器接口  并联  
关键词         

产品资料
数据列表 MT47H128M4, 64M8,32M16
标准包装 2,000

MT47H64M8SH-25E AAT:H TR相关搜索

制造商 Micron Technology Inc.  Micron Technology Inc. 制造商 Micron Technology Inc.  存储器 制造商 Micron Technology Inc.  Micron Technology Inc. 存储器 制造商 Micron Technology Inc.   工作温度 -40°C ~ 105°C(TA)  Micron Technology Inc. 工作温度 -40°C ~ 105°C(TA)  存储器 工作温度 -40°C ~ 105°C(TA)  Micron Technology Inc. 存储器 工作温度 -40°C ~ 105°C(TA)   系列 -  Micron Technology Inc. 系列 -  存储器 系列 -  Micron Technology Inc. 存储器 系列 -   零件状态 在售  Micron Technology Inc. 零件状态 在售  存储器 零件状态 在售  Micron Technology Inc. 存储器 零件状态 在售   电压 - 电源 1.7 V ~ 1.9 V  Micron Technology Inc. 电压 - 电源 1.7 V ~ 1.9 V  存储器 电压 - 电源 1.7 V ~ 1.9 V  Micron Technology Inc. 存储器 电压 - 电源 1.7 V ~ 1.9 V   存储容量 512Mb (64M x 8)  Micron Technology Inc. 存储容量 512Mb (64M x 8)  存储器 存储容量 512Mb (64M x 8)  Micron Technology Inc. 存储器 存储容量 512Mb (64M x 8)   技术 SDRAM - DDR2  Micron Technology Inc. 技术 SDRAM - DDR2  存储器 技术 SDRAM - DDR2  Micron Technology Inc. 存储器 技术 SDRAM - DDR2   时钟频率 400MHz  Micron Technology Inc. 时钟频率 400MHz  存储器 时钟频率 400MHz  Micron Technology Inc. 存储器 时钟频率 400MHz   存储器类型 易失  Micron Technology Inc. 存储器类型 易失  存储器 存储器类型 易失  Micron Technology Inc. 存储器 存储器类型 易失   访问时间 400ps  Micron Technology Inc. 访问时间 400ps  存储器 访问时间 400ps  Micron Technology Inc. 存储器 访问时间 400ps   写周期时间 - 字,页 15ns  Micron Technology Inc. 写周期时间 - 字,页 15ns  存储器 写周期时间 - 字,页 15ns  Micron Technology Inc. 存储器 写周期时间 - 字,页 15ns   存储器格式 DRAM  Micron Technology Inc. 存储器格式 DRAM  存储器 存储器格式 DRAM  Micron Technology Inc. 存储器 存储器格式 DRAM   存储器接口 并联  Micron Technology Inc. 存储器接口 并联  存储器 存储器接口 并联  Micron Technology Inc. 存储器 存储器接口 并联  
电话:400-900-3095
QQ:800152669
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