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NAND512R3A2DZA6E - 

IC FLASH 512MBIT 63VFBGA

  • 已过时的产品。
Micron Technology Inc. NAND512R3A2DZA6E
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
NAND512R3A2DZA6E
仓库库存编号:
NAND512R3A2DZA6E-ND
描述:
IC FLASH 512MBIT 63VFBGA
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
3(168 小时)
详细描述:
FLASH - NAND 存储器 IC 512Mb (64M x 8) 并联 50ns 63-VFBGA(9x11)
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
(含税)
货期
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操作
NAND512R3A2DZA6E
库存编号:NAND512R3A2DZA6E-ND
Micron Technology Inc IC FLASH 512MBIT PAR 63VFBGA0
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操作
NAND512R3A2DZA6E STMicroelectronics FLASH, 64MX8, 15000NS, PBGA6328
1起订
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¥200.79
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¥133.86
1-3周购买 购买
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NAND512R3A2DZA6E产品属性


产品规格
  封装/外壳  63-TFBGA  
  制造商  Micron Technology Inc.  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -40°C ~ 85°C(TA)  
  系列  -  
  包装  托盘   
  零件状态  过期  
  电压 - 电源  1.7 V ~ 1.95 V  
  供应商器件封装  63-VFBGA(9x11)  
  存储容量  512Mb (64M x 8)  
  技术  FLASH - NAND  
  存储器类型  非易失  
  访问时间  50ns  
  写周期时间 - 字,页  50ns  
  存储器格式  闪存  
  存储器接口  并联  
关键词         

产品资料
标准包装 1,260

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Micron Technology Inc.
IC FLASH 512MBIT 63VFBGA

详细描述:FLASH - NAND 存储器 IC 512Mb (64M x 8) 并联 50ns 63-VFBGA(9x11)

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