1N3016BUR-1,Microsemi Corporation,分立半导体产品,二极管 - 齐纳 - 单
st代理商
专业代理销售st（意法）全系列产品
库存查询
在本站结果里搜索：    
热门搜索词：电容器   Vicor   MXP7205VW   STM32F103C8T6   1379658-1   UVX  

1N3016BUR-1 - 

DIODE ZENER 6.8V 1W DO213AB

  • 非库存货
Microsemi Corporation 1N3016BUR-1
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
1N3016BUR-1
仓库库存编号：
1N3016BUR-1-ND
描述：
DIODE ZENER 6.8V 1W DO213AB
ROHS：
含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
Zener Diode 6.8V 1W ±5% Surface Mount DO-213AB
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！

1N3016BUR-1产品属性


产品规格
  封装/外壳  DO-213AB，MELF  
  制造商  Microsemi Corporation  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -55°C ~ 175°C  
  系列  -  
  包装  散装   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  DO-213AB  
  容差  ±5%  
  不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流  150μA @ 5.2V  
  不同 If 时的电压 - 正向（Vf）  1.2V @ 200mA  
  Power - Max  1W  
  电压 - 齐纳（标称值）（Vz）  6.8V  
  阻抗（最大值）（Zzt）  3.5 Ohms  
关键词         

产品资料
数据列表 1N3016BUR-1 - 1N3045BUR-1
标准包装 1

1N3016BUR-1相关搜索

封装/外壳 DO-213AB，MELF  Microsemi Corporation 封装/外壳 DO-213AB，MELF  二极管 - 齐纳 - 单 封装/外壳 DO-213AB，MELF  Microsemi Corporation 二极管 - 齐纳 - 单 封装/外壳 DO-213AB，MELF   制造商 Microsemi Corporation  Microsemi Corporation 制造商 Microsemi Corporation  二极管 - 齐纳 - 单 制造商 Microsemi Corporation  Microsemi Corporation 二极管 - 齐纳 - 单 制造商 Microsemi Corporation   安装类型 表面贴装  Microsemi Corporation 安装类型 表面贴装  二极管 - 齐纳 - 单 安装类型 表面贴装  Microsemi Corporation 二极管 - 齐纳 - 单 安装类型 表面贴装   工作温度 -55°C ~ 175°C  Microsemi Corporation 工作温度 -55°C ~ 175°C  二极管 - 齐纳 - 单 工作温度 -55°C ~ 175°C  Microsemi Corporation 二极管 - 齐纳 - 单 工作温度 -55°C ~ 175°C   系列 -  Microsemi Corporation 系列 -  二极管 - 齐纳 - 单 系列 -  Microsemi Corporation 二极管 - 齐纳 - 单 系列 -   包装 散装   Microsemi Corporation 包装 散装   二极管 - 齐纳 - 单 包装 散装   Microsemi Corporation 二极管 - 齐纳 - 单 包装 散装    零件状态 在售  Microsemi Corporation 零件状态 在售  二极管 - 齐纳 - 单 零件状态 在售  Microsemi Corporation 二极管 - 齐纳 - 单 零件状态 在售   供应商器件封装 DO-213AB  Microsemi Corporation 供应商器件封装 DO-213AB  二极管 - 齐纳 - 单 供应商器件封装 DO-213AB  Microsemi Corporation 二极管 - 齐纳 - 单 供应商器件封装 DO-213AB   容差 ±5%  Microsemi Corporation 容差 ±5%  二极管 - 齐纳 - 单 容差 ±5%  Microsemi Corporation 二极管 - 齐纳 - 单 容差 ±5%   不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 150μA @ 5.2V  Microsemi Corporation 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 150μA @ 5.2V  二极管 - 齐纳 - 单 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 150μA @ 5.2V  Microsemi Corporation 二极管 - 齐纳 - 单 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 150μA @ 5.2V   不同 If 时的电压 - 正向（Vf） 1.2V @ 200mA  Microsemi Corporation 不同 If 时的电压 - 正向（Vf） 1.2V @ 200mA  二极管 - 齐纳 - 单 不同 If 时的电压 - 正向（Vf） 1.2V @ 200mA  Microsemi Corporation 二极管 - 齐纳 - 单 不同 If 时的电压 - 正向（Vf） 1.2V @ 200mA   Power - Max 1W  Microsemi Corporation Power - Max 1W  二极管 - 齐纳 - 单 Power - Max 1W  Microsemi Corporation 二极管 - 齐纳 - 单 Power - Max 1W   电压 - 齐纳（标称值）（Vz） 6.8V  Microsemi Corporation 电压 - 齐纳（标称值）（Vz） 6.8V  二极管 - 齐纳 - 单 电压 - 齐纳（标称值）（Vz） 6.8V  Microsemi Corporation 二极管 - 齐纳 - 单 电压 - 齐纳（标称值）（Vz） 6.8V   阻抗（最大值）（Zzt） 3.5 Ohms  Microsemi Corporation 阻抗（最大值）（Zzt） 3.5 Ohms  二极管 - 齐纳 - 单 阻抗（最大值）（Zzt） 3.5 Ohms  Microsemi Corporation 二极管 - 齐纳 - 单 阻抗（最大值）（Zzt） 3.5 Ohms  
电话:400-900-3095
QQ:800152669
st（意法）简介  |  st产品  |   st动态  |  产品应用  |  st选型手册
Copyright © 2017 www.st-ic.com All Rights Reserved. 技术支持：电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号