1N5617US,Microsemi Corporation,分立半导体产品,二极管 - 整流器 - 单
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1N5617US
1N5617US -
DIODE GEN PURP 400V 1A D5A
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Microsemi Corporation
Microsemi Corporation
制造商产品编号:
1N5617US
仓库库存编号:
1N5617US-ND
描述:
DIODE GEN PURP 400V 1A D5A
ROHS:
含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
标准 表面贴装 二极管 1A D-5A
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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1N5617US产品属性
产品规格
封装/外壳
SQ-MELF,A
制造商
Microsemi Corporation
安装类型
表面贴装
系列
-
包装
散装
零件状态
在售
供应商器件封装
D-5A
不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流
500nA @ 400V
反向恢复时间(trr)
150ns
电流 - 平均整流(Io)
1A
不同 If 时的电压 - 正向(Vf)
1.6V @ 3A
工作温度 - 结
-65°C ~ 175°C
二极管类型
标准
电压 - DC 反向(Vr)(最大值)
400V
不同?Vr,F 时的电容
35pF @ 12V,1MHz
速度
快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
关键词
产品资料
数据列表
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标准包装
1
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封装/外壳 SQ-MELF,A
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二极管 - 整流器 - 单 封装/外壳 SQ-MELF,A
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制造商 Microsemi Corporation
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二极管 - 整流器 - 单 制造商 Microsemi Corporation
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安装类型 表面贴装
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系列 -
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包装 散装
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二极管 - 整流器 - 单 包装 散装
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零件状态 在售
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二极管 - 整流器 - 单 零件状态 在售
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供应商器件封装 D-5A
Microsemi Corporation 供应商器件封装 D-5A
二极管 - 整流器 - 单 供应商器件封装 D-5A
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不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 500nA @ 400V
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反向恢复时间(trr) 150ns
Microsemi Corporation 反向恢复时间(trr) 150ns
二极管 - 整流器 - 单 反向恢复时间(trr) 150ns
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电流 - 平均整流(Io) 1A
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二极管 - 整流器 - 单 电流 - 平均整流(Io) 1A
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不同 If 时的电压 - 正向(Vf) 1.6V @ 3A
Microsemi Corporation 不同 If 时的电压 - 正向(Vf) 1.6V @ 3A
二极管 - 整流器 - 单 不同 If 时的电压 - 正向(Vf) 1.6V @ 3A
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工作温度 - 结 -65°C ~ 175°C
Microsemi Corporation 工作温度 - 结 -65°C ~ 175°C
二极管 - 整流器 - 单 工作温度 - 结 -65°C ~ 175°C
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二极管类型 标准
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电压 - DC 反向(Vr)(最大值) 400V
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二极管 - 整流器 - 单 电压 - DC 反向(Vr)(最大值) 400V
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不同?Vr,F 时的电容 35pF @ 12V,1MHz
Microsemi Corporation 不同?Vr,F 时的电容 35pF @ 12V,1MHz
二极管 - 整流器 - 单 不同?Vr,F 时的电容 35pF @ 12V,1MHz
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速度 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
Microsemi Corporation 速度 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
二极管 - 整流器 - 单 速度 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
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