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DIODE GEN PURP 660V 1.2A A-MELF

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Microsemi Corporation 1N6622US
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
1N6622US
仓库库存编号：
1N6622US-ND
描述：
DIODE GEN PURP 660V 1.2A A-MELF
ROHS：
含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
标准 表面贴装 二极管 1.2A A-MELF
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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1N6622US产品属性


产品规格
  封装/外壳  SQ-MELF，A  
  制造商  Microsemi Corporation  
  安装类型  表面贴装  
  系列  -  
  包装  散装   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  A-MELF  
  不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流  500nA @ 660V  
  反向恢复时间（trr）  30ns  
  电流 - 平均整流（Io）  1.2A  
  不同 If 时的电压 - 正向（Vf）  1.4V @ 1.2A  
  工作温度 - 结  -65°C ~ 150°C  
  二极管类型  标准  
  电压 - DC 反向（Vr）（最大值）  660V  
  不同?Vr，F 时的电容  10pF @ 10V，1MHz  
  速度  快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）  
关键词         

产品资料
数据列表 1N6620-25US
标准包装 1

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